研究閃存(NOR)的讀取原理,并針對讀取失效的模式進行分析討論,通過測試的時延來解決測試程序時鐘的誤判問題。 

【文章來源】：蘇州大學學報(工科版). 2007年06期 第42-44頁

【文章頁數(shù)】：3 頁

【部分圖文】：

閃存的基本存儲結構圖

的產品在低于3. 0V達到2. 6V時仍有效工作,如圖3所示。進一步的實驗如圖4所示,所測試的產品的速度隨著測試溫度的降低而降低。通過對不良品與良品的測試環(huán)境下的參考電流與參考電壓的對比,發(fā)現(xiàn)并無顯著的差異。如表1的數(shù)據(jù)所示。表1　測試狀況下良品與不良品的參數(shù)值編號不良品的參考電流值/mA擦除電流編程電流讀取電流診斷電流不良品的參考電壓值/V1 11·06 12·94 10·82 4·10 1·3304 11·00 13·72 11·40 3·84 1·27295 11·68 13·78 10·52 4·26 1·276169 11·46 13·06 12·08 4·64 1·314均值11·30 13·38 11·21 4·21 1·30編號良品的參考電流值/mA擦除電流編程電流讀取電流診斷電流良品的參考電壓值/V1 11·34 13·12 12·16 4·50 1·3002 11·76 13·58 11·82 4·32 1·3103 11·52 13·32 11·40 4·12 1·2824 11·50 13·38 12·16 4·06 1·280均值11·53 13·35 11·89 4·25 1·293差異(0·23) 0·03 (0·68) (0·04) 0·0052　分析與討論借助光電子顯微鏡觀察晶元的表面,并無異�，F(xiàn)象。可見失效的產品并無結構的缺陷與異常;而電性能的測試結果顯示,常溫與高溫時,失效的產品與正常的產品無差異,只是低溫有讀取失效。讀取是去判別一個存儲單元的狀態(tài)是“1”還是“0”。最通用的方法是把存儲單元的電流與一標準存儲單元(Read Reference)的電流比較,如圖5所示。此電流會被轉化為電壓值輸出。當一個新的地址被輸入

的測試結果顯示,常溫與高溫時,失效的產品與正常的產品無差異,只是低溫有讀取失效。讀取是去判別一個存儲單元的狀態(tài)是“1”還是“0”。最通用的方法是把存儲單元的電流與一標準存儲單元(Read Reference)的電流比較,如圖5所示。此電流會被轉化為電壓值輸出。當一個新的地址被輸入,會生成一個內部的脈沖稱為ATD(地址轉換檢測),該脈沖生成一個讀取操作。43第27卷　　　　　　　　　　　　　高國陜:閃存的低溫下低工作電壓Vcc讀取失效分析


本文編號：2907701