基于Image-J圖像法和電化學(xué)法的微弧氧化涂層孔隙率評(píng)價(jià)
發(fā)布時(shí)間:2024-04-13 04:19
為精確量化和評(píng)價(jià)微弧氧化(MAO)涂層的孔隙率,在硅酸鹽電解液中通過(guò)恒壓MAO方法于AZ31B鎂合金表面制備氧化物涂層。利用線性極化、電化學(xué)交流阻抗譜(EIS)和Tafel曲線分別計(jì)算涂層的極化電阻并考察其腐蝕防護(hù)性能,重點(diǎn)采用Image-J圖像法和兩種極化電阻比值法評(píng)價(jià)了涂層孔隙率,提出了適合MAO涂層孔隙率的評(píng)價(jià)方法。結(jié)果表明:當(dāng)氧化電壓由260 V升至290 V時(shí),MAO樣品的自腐蝕電流密度由2.8μA/cm2增加至5.6μA/cm2。結(jié)合線性極化電阻和EIS擬合結(jié)果,證實(shí)涂層腐蝕防護(hù)性能隨氧化電壓的升高而降低。同時(shí),Image-J圖像法計(jì)算的表面孔隙率由10.14%增加至11.48%,線性極化電阻計(jì)算的通孔孔隙率由3.51%增加至7.08%,表明涂層腐蝕防護(hù)性能與其孔隙率呈負(fù)相關(guān),即隨孔隙率增加而降低。與電化學(xué)交流阻抗譜或Tafel曲線所得極化電阻比值法相比,簡(jiǎn)單的線性極化電阻比值法更適合量化MAO涂層的通孔孔隙率,而Image-J圖像法適合通過(guò)MAO涂層的表面SEM像量化表面孔隙率及孔徑大小的分布情況。
【文章頁(yè)數(shù)】:9 頁(yè)
【文章目錄】:
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
2.1 SEM像及Image-J圖像
2.2 電化學(xué)及孔隙率
2.2.1 極化曲線
2.2.2 交流阻抗譜
2.2.3 電化學(xué)孔隙率
2.3 討論
2.3.1 Image-J圖像法孔隙率分析原則
2.3.2 電化學(xué)法孔隙率評(píng)價(jià)方法
2.3.3 Image-J圖像法與電化學(xué)法孔隙率的適用性
3 結(jié)論
本文編號(hào):3952473
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1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
2.1 SEM像及Image-J圖像
2.2 電化學(xué)及孔隙率
2.2.1 極化曲線
2.2.2 交流阻抗譜
2.2.3 電化學(xué)孔隙率
2.3 討論
2.3.1 Image-J圖像法孔隙率分析原則
2.3.2 電化學(xué)法孔隙率評(píng)價(jià)方法
2.3.3 Image-J圖像法與電化學(xué)法孔隙率的適用性
3 結(jié)論
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