采用正交試驗和單因素試驗研究了在6063鋁合金上低溫快速制備鈦鋯轉(zhuǎn)化膜的工藝,得到的最佳轉(zhuǎn)化液配方為:H₂TiF₆2.0 g/L,H₂ZrF₆ 0.8 g/L,氧化劑(偏釩酸鈉)3.0 g/L,配位劑(單寧酸)4.0 g/L,pH=3.2。X射線光電子能譜的分析結(jié)果顯示,膜層的主要組分為金屬氧化物(Al₂O₃、VO₂、V₂O₅、ZrO₂、TiO₂)、金屬氟化物(AlF₃、ZrF₄)及金屬有機(jī)配位化合物。不同低溫條件下工藝的最佳成膜時間為:5℃,300～350 s;10℃,150～200 s;15℃,100～150 s;20℃,60～120 s。

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【部分圖文】：

圖2pH對轉(zhuǎn)化膜耐蝕性的影響

圖1氧化劑質(zhì)量濃度對轉(zhuǎn)化膜耐蝕性的影響2.2.3配位劑的質(zhì)量濃度

圖1氧化劑質(zhì)量濃度對轉(zhuǎn)化膜耐蝕性的影響

固定鈦鋯轉(zhuǎn)化液中其他影響因素不變，即H2TiF62.0g/L,H2ZrF60.8g/L，氧化劑3.0g/L，配位劑4.0g/L，溫度5°C，轉(zhuǎn)化時間5min，調(diào)節(jié)不同的pH(2.6～4.1)后對試樣進(jìn)行轉(zhuǎn)化處理。由圖2可知，隨pH提高，轉(zhuǎn)化膜的耐蝕性先增強(qiáng)后減弱....

圖3配位劑質(zhì)量濃度對轉(zhuǎn)化膜耐蝕性的影響

固定鈦鋯轉(zhuǎn)化液中其他影響因素不變，即H2TiF62.0g/L,H2ZrF60.8g/L，氧化劑3.0g/L，溫度5°C，轉(zhuǎn)化時間5min,pH=3.2，不同配位劑質(zhì)量濃度(2.5～5.0g/L)下所制試樣的耐蝕性如圖3所示。配位劑的質(zhì)量濃度增大，轉(zhuǎn)化膜的耐蝕性也就....

圖5不同溫度下進(jìn)行轉(zhuǎn)化處理的開路電位-時間曲線

開路電位與時間曲線可反映膜層的生長過程。從圖5可見，開路電位隨時間先減小后增大，與成膜過程中的3個階段相對應(yīng)：(1)AB段──鋁基體在酸性溶液中發(fā)生腐蝕，電位急劇下降；(2)BC段──開始在鋁合金表面微區(qū)成膜，陽極反應(yīng)受到阻礙，電極電位逐漸升高；(3)CD段──膜層完全覆蓋鋁合金....

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