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織構(gòu)對6061-T6鋁合金X射線應(yīng)力測試精度的影響機理

發(fā)布時間:2021-12-10 00:53
  為探究織構(gòu)對6061-T6鋁合金X射線應(yīng)力測試的影響,本工作對等強梁表面的預(yù)置應(yīng)力采用X射線進行應(yīng)力測試,利用電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)和晶體取向成像分析技術(shù),根據(jù)晶粒取向和X射線衍射的角度關(guān)系,分析了織構(gòu)對X射線衍射晶粒群內(nèi)晶粒數(shù)目的影響,進而分析衍射晶粒數(shù)目對晶粒群微觀應(yīng)變均勻性和微觀應(yīng)力均勻性的影響。結(jié)果表明,由于晶粒的擇優(yōu)取向,當(dāng)X射線衍射晶粒群的晶體取向在ψ=0~15°范圍內(nèi)時,X射線衍射晶粒群內(nèi)晶粒數(shù)目較少,晶粒群之間微觀應(yīng)變和微觀應(yīng)力不均勻,使得X射線測試得到的衍射角變化不能反映由宏觀應(yīng)力所引起的衍射角變化,進而導(dǎo)致應(yīng)力的測試精度降低。 

【文章來源】:材料導(dǎo)報. 2020,34(20)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】:5 頁

【部分圖文】:

織構(gòu)對6061-T6鋁合金X射線應(yīng)力測試精度的影響機理


應(yīng)力測試裝置示意圖

應(yīng)力計算,測試點,范圍,晶粒


圖3 不同ψ角下參與衍射的晶粒成像圖(電子版為彩圖)對于每個ψ角下發(fā)生衍射的晶粒群,其晶粒之間存在大小不等的取向差,分15個區(qū)間統(tǒng)計各晶粒群0~1.5°范圍內(nèi)的小角度取向差,將每個區(qū)間內(nèi)0.1°范圍內(nèi)小角度取向差的數(shù)量進行求和,計算每個區(qū)間內(nèi)的求和結(jié)果占0~1.5°范圍內(nèi)取向差值之和的百分數(shù),結(jié)果如圖5所示。此外,統(tǒng)計每個ψ角下0~1.5°范圍內(nèi)取向差的平均值,結(jié)果如圖6所示。

晶粒,差分,位錯密度,角度


圖5和圖6表明:當(dāng)ψ=0°、5°、10°、15°時,發(fā)生衍射的晶粒群的小角度取向差的峰值和平均值各不相同,且都與其他8個晶粒群的小角度取向差峰值和平均值有較大差異。而其他8個ψ角對應(yīng)的晶粒群的小角度取向差的峰值和平均值趨于一致。因為小角度取向差是相鄰亞晶間小角度晶界的反映,小角度晶界的大小可以在一定程度上反映亞晶之間的位錯密度,小角度取向差越大,位錯密度越高[17]。因此,在ψ=0°、5°、10°、15°時,發(fā)生衍射的晶粒群之間的位錯密度不均勻,而在其他8個ψ角下,發(fā)生衍射的晶粒群之間位錯密度差異較小。在ψ=0°、5°、10°、15°時,晶粒群位錯密度不均勻主要受參與統(tǒng)計的晶粒數(shù)目的影響。盡管晶粒內(nèi)部存在位錯密度不均勻情況,但是當(dāng)統(tǒng)計晶粒數(shù)目較多時,位錯密度的統(tǒng)計平均值會趨于相同。而織構(gòu)的存在導(dǎo)致在ψ=0°、5°、10°、15°時,參與衍射的晶粒群內(nèi)包含的晶粒較少,進而使得晶粒群的平均位錯密度呈現(xiàn)出統(tǒng)計意義上的不均勻性。圖6 不同ψ角晶粒群平均取向差

【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:3531614

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