【摘要】：在全球提倡節(jié)能減排的大環(huán)境下,CSP工藝因其不需要二次加熱成為鋼鐵生產(chǎn)的主要趨勢,因此采用CSP工藝生產(chǎn)Hi-B鋼已成為熱門的研究課題之一。本課題采用以模擬CSP工藝制得的含Cu低溫Hi-B鋼為實驗基板。利用光學顯微鏡進行顯微組織觀察,掃描電子顯微鏡進行EBSD的數(shù)據(jù)采集,借助于透射電子顯微鏡進行析出物分析,研究了不同溫度的滲氮過程及隨后二次再結晶過程中的組織及抑制劑演變規(guī)律。結果表明:在550℃滲氮條件下,抑制劑主要是(Al,Si,Mn)N與Cu_2S和AlN的復合析出物,在900℃下滲氮條件下則主要是AlN以及部分的AlN和Cu_2S的復合析出物。而在兩種滲氮條件下的二次再結晶過程中,抑制劑主要是AlN,抑制劑的平均尺寸隨著退火溫度的升高逐漸變大,體積百分數(shù)與Zener因子值隨溫度升高逐漸減小。高溫900℃滲氮二次再結晶過程中,Goss取向晶粒在1040℃時發(fā)生異常長大,而低溫550℃滲氮二次再結晶過程中,Goss取向晶粒在1000℃時發(fā)生異常長大。在Goss晶粒異常長大過程中,織構{111}112與{411}148向Goss織構發(fā)生轉變;{111}112與{411}148取向晶粒與周邊晶粒的取向差主要分布在20~45°并且有向20~45°集中的趨勢,而Goss取向晶粒與周邊晶粒的取向差分布在20~45°并且有向兩端分布的趨勢。高溫900℃滲氮的最終退火后組織完善程度優(yōu)于低溫550℃滲氮。
【圖文】：

取向硅鋼的晶粒取向排列

傳統(tǒng)高溫加熱工藝流程圖
【學位授予單位】：武漢科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2018
【分類號】：TG142.1

【參考文獻】

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本文編號：2671939