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基于金屬標(biāo)簽的渦流無損檢測技術(shù)的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-01-23 19:31
【摘要】:伴隨著物聯(lián)網(wǎng)體系的快速發(fā)展,物品識(shí)別技術(shù)作為物聯(lián)網(wǎng)體系中的關(guān)鍵組成部分,也受到了廣泛的關(guān)注,F(xiàn)在的主流技術(shù)有條碼識(shí)別技術(shù)、RFID識(shí)別技術(shù)和金屬標(biāo)簽識(shí)別技術(shù)等。金屬標(biāo)簽系統(tǒng)不僅能解決識(shí)別領(lǐng)域的局限性,還具有檢測迅速、與物品一體化、準(zhǔn)確率高的優(yōu)點(diǎn)。在本文中,主要研究的是金屬標(biāo)簽識(shí)別技術(shù),其核心的技術(shù)是渦流無損檢測技術(shù),利用電磁場技術(shù),對渦流無損檢測問題進(jìn)行理論分析、模型建立、仿真驗(yàn)證,已知標(biāo)簽信息,分析傳感線圈上阻抗增量的變化情況。本文總結(jié)了當(dāng)前識(shí)別技術(shù)以及渦流無損檢測技術(shù)的分類和工作原理。在此基礎(chǔ)上,為了研究基于金屬標(biāo)簽的渦流無損檢測技術(shù),從時(shí)諧場的麥克斯韋方程組出發(fā),引入了矢量磁位,用來描述渦流場的定解問題,并通過推導(dǎo)分析,得知電場分布是由磁位矢量決定的。接著,建立渦流檢測問題模型,對缺陷渦流場的分析過程中,渦流場由兩部分疊加:一部分是計(jì)算只有外加激勵(lì)無缺陷條件下的渦流場;另一部分是無外加激勵(lì)由缺陷等效場作用時(shí)的渦流場,并在計(jì)算過程中引入了體積分方程和并矢格林函數(shù),并對并矢格林函數(shù)進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化,在保證準(zhǔn)確的前提下,盡可能降低運(yùn)算的復(fù)雜度和運(yùn)算時(shí)間。接著,將標(biāo)簽看成是理想裂縫,把缺陷部分等效為偶極子層后離散化,從而對缺陷場進(jìn)行數(shù)值求解。因此,可以計(jì)算檢測線圈中阻抗增量的變化,通過MATLAB仿真計(jì)算,改變激勵(lì)頻率、水平位移、提離高度,觀察阻抗增量模值的變化情況,對工程實(shí)踐具有指導(dǎo)意義。
【圖文】:

傳感器模型,軸對稱


( )zA A AzA一步化簡可得:1( )zA AzA對稱條件下的時(shí)諧電磁場有以下特點(diǎn)[47]:首先,在采用庫倫規(guī)范量磁位的散度是 0,并且其只具有周向的分量;其次,電場強(qiáng)度,而磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場強(qiáng)度的周向分量等于 0。即滿足:A 00θB 0θH 無損探測中,常用的渦流檢測傳感器是一個(gè)置于金屬物品上方并一定距離的圓柱形軸對稱線圈,假設(shè)將圓柱線圈放在一個(gè)半無限,并且給線圈通有電流密度為cJ 的電流,假設(shè)線圈的內(nèi)徑為1r ,外徑身長度為d ,檢測線圈與試件之間的距離為h。如圖 3-3 所示:
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TG115.28

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2572390

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