本文關(guān)鍵詞：混合添加稀土Ce和La的AM60B鎂合金耐腐蝕性與半導體性能研究

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【摘要】：鎂合金許多優(yōu)良的性質(zhì)使得它在近代發(fā)展迅速,且廣泛地應(yīng)用于各項領(lǐng)域,但鎂化學性質(zhì)非�；顫�。在空氣中生成的MgO薄膜疏松多孔,無法有效地阻滯進一步被氧化。鎂的標準電位相對于其它金屬結(jié)構(gòu)材料最負,為~(-2).37V,在溶液中參與電化學腐蝕時導致鎂成為犧牲陽極而遭受腐蝕。耐腐蝕性差已經(jīng)成為制約鎂合金發(fā)展的主要因素。本文考察了在不同pH值和NaCl溶液中的電化學行為。結(jié)果顯示,pH為10.5、0.035%的NaCl溶液中鎂合金的腐蝕電流密度最小,為4.436μA·cm~(-2) pH為3.5、3.5%NaCl溶液中的腐蝕電流密度最大,為84.34μA·cm~(-2)。隨著pH值減小,NaCl濃度升高,AM60B-MM鎂合金腐蝕電位負移,陽極極化電流密度增大,容抗弧半徑減小。采用高錳酸鹽、鉬酸鹽和植酸在AM60B-MM鎂合金表面進行化學轉(zhuǎn)化制膜。發(fā)現(xiàn)三種化學轉(zhuǎn)化成膜的AM60B-MM鎂合金降低了腐蝕電流密度,其中高錳酸鹽成膜后的腐蝕電流密度最低,為22.823μA·cm~(-2)這說明成膜后容抗弧和低頻阻抗模值增大、相位角升高,形成了高電阻、低電容的屏蔽膜層,提高了鎂合金的電化學性能。3.5%NaCl溶液中,三種化學轉(zhuǎn)化成膜AM60B-MM鎂合金的Mott-Schottky曲線測試結(jié)果,在~(-2).2～-0.9V電位區(qū)間內(nèi),M-S曲線的斜率增大,施主密度ND減小,平帶電位EFB負向移動,空間電荷層厚度增大,鎂合金的電化學性能得到提高。3.5%NaCl溶液中的析氫實驗表明,成膜后AM60B-MM鎂合金電流腐蝕密度分別為,高錳酸鹽為0.953×10-9A/cm~2,鉬酸鹽為2.034×10-9A/cm~2,植酸為2.879×109A/cm~2,比成膜前鎂合金的析氫腐蝕電流密度顯著降低。
【關(guān)鍵詞】：AM60B-MM鎂合金 電化學測試 化學轉(zhuǎn)化制膜 析氫腐蝕
【學位授予單位】：大連海事大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TG146.22
【目錄】：

• 摘要5-6
• ABSTRACT6-10
• 第1章 緒論10-24
• 1.1 引言10
• 1.2 鎂及鎂合金的概況金屬連接技術(shù)研究現(xiàn)狀10-15
• 1.2.1 金屬鎂的基本性能10-11
• 1.2.2 金屬鎂的資源現(xiàn)狀11-12
• 1.2.3 鎂合金發(fā)展歷史及應(yīng)用領(lǐng)域12-15
• 1.3 鎂合金的耐蝕性能15-18
• 1.3.1 鎂和鎂合金的腐蝕機理15
• 1.3.2 鎂及鎂合金的腐蝕種類15-17
• 1.3.3 影響鎂合金耐腐蝕性能因素17-18
• 1.4 稀土鎂合金概況18-20
• 1.4.1 稀土元素概述18-19
• 1.4.2 稀土鎂合金的發(fā)展概況19
• 1.4.3 稀土元素對鎂合金性能的提高19-20
• 1.5 稀土鎂合金的防護與測試方法20-21
• 1.5.1 稀土鎂合金的防護方法20
• 1.5.2 評價耐蝕性能的方法20-21
• 1.6 半導體性能21-22
• 1.7 本文的研究的目的與內(nèi)容22-24
• 第2章 實驗方法24-28
• 2.1 實驗材料24
• 2.2 實驗儀器24
• 2.3 試樣制備24-25
• 2.4 實驗介質(zhì)25-26
• 2.5 實驗方法26-27
• 2.5.1 電化學試驗方法26
• 2.5.2 析氫實驗26-27
• 2.6 物理表征27-28
• 第3章 不同NaCl濃度和pH值對AM60B和AM60B-MM鎂合金腐蝕行為的影響28-43
• 3.1 AM60B-MM和AM60B鎂合金的電化學測試28-39
• 3.1.1 開路電位測試28-30
• 3.1.2 動電位極化曲線測試30-34
• 3.1.3 交流阻抗圖譜34-39
• 3.2 AM60B與AM60B-MM鎂合金測試的結(jié)果對比39-41
• 3.2.1 極化曲線對比39-40
• 3.2.2 交流阻抗對比40-41
• 3.3 AM60B-MM與AM60B鎂合金的析氫實驗41-42
• 3.4 本章小結(jié)42-43
• 第4章 化學成膜后鎂合金半導體與電化學性能研究43-63
• 4.1 三種化學轉(zhuǎn)化膜的成膜機理及物理表征43-48
• 4.1.1 高錳酸鹽轉(zhuǎn)化膜43-45
• 4.1.2 鉬酸鹽轉(zhuǎn)化膜45-47
• 4.1.3 植酸轉(zhuǎn)化膜47-48
• 4.2 三種轉(zhuǎn)化膜的半導體行為48-51
• 4.3 三種轉(zhuǎn)化膜的電化學行為51-59
• 4.3.1 交流阻抗圖譜51-56
• 4.3.2 極化曲線測定56-59
• 4.4 析氫腐蝕實驗59-62
• 4.5 本章小結(jié)62-63
• 第5章 結(jié)論63-64
• 參考文獻64-68
• 致謝68

【參考文獻】

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本文編號：1096921