光電式立靶精度測量系統(tǒng)研究
發(fā)布時間:2021-11-19 05:25
本文主要研究了一種新型的光電式立靶精度測量系統(tǒng),該測量系統(tǒng)是基于雙線陣CCD交匯測量原理而設計的。在靶場測試中,本系統(tǒng)可以取代較落后的傳統(tǒng)測試方法,很大程度上提高了立靶精度測試的效率和精確性,同時也可以極大的推進武器系統(tǒng)的研發(fā)過程。論文在總結國內(nèi)外關于立靶精度測量方法的基礎上,詳細論述了雙線陣CCD交匯測量的原理,推導了彈丸過靶坐標計算公式。同時完成了對該系統(tǒng)硬件設備的選取和連接,編寫了軟件控制代碼,最后通過塑料彈丸和實彈試驗證明了該系統(tǒng)的設計是成功的,能有效的測量槍炮等武器的立靶精度。在硬件設備選擇過程中,首先研究了各個硬件單元的工作原理和性能指標,然后根據(jù)系統(tǒng)技術指標選用了佳能公司生產(chǎn)的UTRON線掃描標準鏡頭、DALSA公司的HS-82-04Kx0系列相機和X64-Xcelera Daul圖像采集卡、瑞士徠卡公司的TS02型全站儀和西安工業(yè)大學研制的JYJ-90型水平天幕靶。最后,根據(jù)正交布站的要求對所有硬件設備進行了連接,完成了整個測量系統(tǒng)的硬件設計。在系統(tǒng)軟件設計過程中,選用了VC++開發(fā)工具,并基于MFC編程實現(xiàn)了軟件系統(tǒng)的控制和管理。同時對彈丸圖像的特征和處理過程進行了詳...
【文章來源】:中北大學山西省
【文章頁數(shù)】:72 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
系統(tǒng)結構框圖
制光敏區(qū)像元。在光積分周期里,光柵電形成的光生載流子將存于光敏 MOS 電容電平升高,這樣形成轉(zhuǎn)移脈沖。在脈沖作存器上,最后在時鐘脈沖的作用下沿移位見,這種結構的 CCD 在工作時需要進行敏單元較少的攝像器件。
由于信號電荷包在轉(zhuǎn)移時兵分兩路,大大減少了轉(zhuǎn)移的時間和次數(shù),因此雙輸結構要比單邊傳輸結構轉(zhuǎn)移效率高,對于像敏數(shù)高于 256 的線陣 CCD 器件多采邊傳輸結構[30]。.2.2 線陣 CCD 的工作原理如下圖 2.5 所示為 n 位 CCD 結構示意圖,從圖中可以看出它由輸入、輸出結構OS 結構(即金屬-氧化物-半導體結構,是構成 CCD 的基本單元)組成,且該 CCD 示意圖是以 P 型硅為襯底的。在柵極施加大小不超過閾值、按一定規(guī)律變化的電壓時在 P 型硅表面將有不同深淺的勢阱形成。所形成的勢阱不僅可以實現(xiàn)對電荷包(號電荷)的存儲,同時將勢阱的深淺變化同步于施加的電壓變化規(guī)律,可以將電荷半導體表面?zhèn)鬏數(shù)捷敵龆䴓O管,最后得到視頻信號?梢姡珻CD 的工作過程主要荷的輸入部分、電荷轉(zhuǎn)移部分和信號輸出部分組成。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]雙線陣CCD交匯測量立靶精度系統(tǒng)研究[J]. 王英,曾光宇. 光電工程. 2011(10)
[2]CCD立靶操作誤差的改善方法研究[J]. 王澤民,李靜,雷志勇. 電子設計工程. 2011(16)
[3]圖像去噪算法研究[J]. 王英,曾光宇. 電腦與信息技術. 2011(04)
[4]某炮彈立靶密度集度的影響因素分析[J]. 贠來峰,史初蕾,王建國. 彈道學報. 2009(04)
[5]線陣CCD測量高速彈丸圖像信息處理研究[J]. 雷志勇,李翰山. 半導體光電. 2009(05)
[6]多光幕交匯測量彈丸立靶坐標方法研究[J]. 王堅,杜海濤,馮志遠,張晨. 飛行器測控學報. 2009(04)
[7]基于天幕靶的彈丸過靶信息探測提取方法的研究[J]. 董華,倪晉平,王鐵嶺. 核電子學與探測技術. 2009(04)
[8]采用棱形光錐提高廣角天幕立靶性能的研究[J]. 董華,王鐵嶺,倪晉平,彭玉春. 測試技術學報. 2009(04)
[9]CCD立靶坐標測量系統(tǒng)精度仿真分析[J]. 李華,李國富,雷蕾. 測試技術學報. 2009(04)
[10]線陣CCD立靶系統(tǒng)全視場測量誤差分析[J]. 羅紅娥,陳平,顧金良,夏言,栗保明. 光學技術. 2009(03)
碩士論文
[1]室內(nèi)高精度立靶密集度測試技術[D]. 杜文斌.西安工業(yè)大學 2011
[2]多目標立靶密集度測試技術研究[D]. 田園.西安工業(yè)大學 2010
[3]高速線陣CCD光靶信號處理及其固件實現(xiàn)技術研究[D]. 楊華偉.南京理工大學 2007
本文編號:3504379
【文章來源】:中北大學山西省
【文章頁數(shù)】:72 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
系統(tǒng)結構框圖
制光敏區(qū)像元。在光積分周期里,光柵電形成的光生載流子將存于光敏 MOS 電容電平升高,這樣形成轉(zhuǎn)移脈沖。在脈沖作存器上,最后在時鐘脈沖的作用下沿移位見,這種結構的 CCD 在工作時需要進行敏單元較少的攝像器件。
由于信號電荷包在轉(zhuǎn)移時兵分兩路,大大減少了轉(zhuǎn)移的時間和次數(shù),因此雙輸結構要比單邊傳輸結構轉(zhuǎn)移效率高,對于像敏數(shù)高于 256 的線陣 CCD 器件多采邊傳輸結構[30]。.2.2 線陣 CCD 的工作原理如下圖 2.5 所示為 n 位 CCD 結構示意圖,從圖中可以看出它由輸入、輸出結構OS 結構(即金屬-氧化物-半導體結構,是構成 CCD 的基本單元)組成,且該 CCD 示意圖是以 P 型硅為襯底的。在柵極施加大小不超過閾值、按一定規(guī)律變化的電壓時在 P 型硅表面將有不同深淺的勢阱形成。所形成的勢阱不僅可以實現(xiàn)對電荷包(號電荷)的存儲,同時將勢阱的深淺變化同步于施加的電壓變化規(guī)律,可以將電荷半導體表面?zhèn)鬏數(shù)捷敵龆䴓O管,最后得到視頻信號?梢姡珻CD 的工作過程主要荷的輸入部分、電荷轉(zhuǎn)移部分和信號輸出部分組成。
【參考文獻】:
期刊論文
[1]雙線陣CCD交匯測量立靶精度系統(tǒng)研究[J]. 王英,曾光宇. 光電工程. 2011(10)
[2]CCD立靶操作誤差的改善方法研究[J]. 王澤民,李靜,雷志勇. 電子設計工程. 2011(16)
[3]圖像去噪算法研究[J]. 王英,曾光宇. 電腦與信息技術. 2011(04)
[4]某炮彈立靶密度集度的影響因素分析[J]. 贠來峰,史初蕾,王建國. 彈道學報. 2009(04)
[5]線陣CCD測量高速彈丸圖像信息處理研究[J]. 雷志勇,李翰山. 半導體光電. 2009(05)
[6]多光幕交匯測量彈丸立靶坐標方法研究[J]. 王堅,杜海濤,馮志遠,張晨. 飛行器測控學報. 2009(04)
[7]基于天幕靶的彈丸過靶信息探測提取方法的研究[J]. 董華,倪晉平,王鐵嶺. 核電子學與探測技術. 2009(04)
[8]采用棱形光錐提高廣角天幕立靶性能的研究[J]. 董華,王鐵嶺,倪晉平,彭玉春. 測試技術學報. 2009(04)
[9]CCD立靶坐標測量系統(tǒng)精度仿真分析[J]. 李華,李國富,雷蕾. 測試技術學報. 2009(04)
[10]線陣CCD立靶系統(tǒng)全視場測量誤差分析[J]. 羅紅娥,陳平,顧金良,夏言,栗保明. 光學技術. 2009(03)
碩士論文
[1]室內(nèi)高精度立靶密集度測試技術[D]. 杜文斌.西安工業(yè)大學 2011
[2]多目標立靶密集度測試技術研究[D]. 田園.西安工業(yè)大學 2010
[3]高速線陣CCD光靶信號處理及其固件實現(xiàn)技術研究[D]. 楊華偉.南京理工大學 2007
本文編號:3504379
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