軍用集成電路的可靠性與檢測篩選
發(fā)布時間:2021-08-16 16:15
本文說明了軍用集成電路可靠性研究工作的重要性及緊急性。對可靠性理論的闡述和可靠性試驗的原理及解釋,簡述了軍用電子元器件的分類以及篩選的方法的必要性。文章主要歸納了軍用集成電路的失效模式對其在設(shè)計生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的類似失效模式進行預(yù)防,有效降低軍用集成電路的失效率。并針對此類問題,制定切實可行的預(yù)防機制及改進措施,用于今后生產(chǎn)軍用集成電路的研制、生產(chǎn)、檢驗。從而確保各種軍事武器裝備的可靠性,并保證其使用壽命及設(shè)備功能。本論文旨在通過對可靠性各種試驗以及軍用電子元器件的分類的介紹,并著重闡述了軍用集成電路的失效分析、失效機理、失效模式、機理分析及可靠性試驗,結(jié)合失效分析結(jié)果為今后在篩選工作中提供了有力的數(shù)據(jù)理論支持。本文通過設(shè)計、工藝、原材料和元器件等多方面的分析采取措施和對策,達到提高軍用集成電路可靠性的目的,并可借鑒在其他軍用電子元件的生產(chǎn)和設(shè)計過程中。
【文章來源】:南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:50 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1可靠性試驗??J1??
圖6.1集成電路的ESD擊穿??26??
圖6.4樣片蒼片圖??結(jié)論??驗證,樣片電路的失效是由于該電路在使用過程中受到了外界電路芯片中某些存儲管的柵介質(zhì)擊穿,引起存儲管漏電,造成電,致使電路失效[391。??和裝定等過程中,采取凈化電源的措施,避免外部環(huán)境產(chǎn)生大的的影響。??對半導(dǎo)體集成電路和厚膜混合集成電路所出現(xiàn)過的主要的失進行分析,說明了設(shè)計、工藝、檢驗、W及使用等環(huán)節(jié)要針對電路各相關(guān)環(huán)節(jié)控制和管理,避免造成嚴(yán)重的損失。通過對氣、、、、
【參考文獻】:
期刊論文
[1]可伐合金氣密封接的預(yù)氧化[J]. 冷文波,沈卓身. 電子與封裝. 2004(03)
[2]可靠性概念的應(yīng)用必須確切[J]. 趙和義,鄭鵬洲. 微電子學(xué)與計算機. 2003(10)
[3]研究和處理DPA不合格的母體[J]. 趙和義,鄭鵬洲. 半導(dǎo)體技術(shù). 2003(09)
[4]混合集成電路銅功率外殼氣密性失效分析[J]. 耿志挺,馬莒生,寧洪龍,黃福祥. 稀有金屬材料與工程. 2003(08)
[5]ESD破壞的特點及對策[J]. 王衛(wèi)民,孫宇華. 電測與儀表. 2003(05)
[6]從壽命試驗到加速壽命試驗[J]. 茆詩松. 質(zhì)量與可靠性. 2003(01)
[7]破壞性物理分析(DPA)技術(shù)促進國產(chǎn)電子元器件質(zhì)量提高[J]. 徐愛斌,劉發(fā). 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗. 2002(05)
[8]電子元器件破壞性物理分析中幾個難點問題的分析[J]. 張延偉. 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗. 2002(01)
[9]鍵合質(zhì)量與電子元器件應(yīng)用可靠性[J]. 曹宏斌. 電子元器件應(yīng)用. 2002(Z1)
[10]半導(dǎo)體器件DPA不合格的根源研究[J]. 張素娟,周永寧,鄭鵬洲. 半導(dǎo)體技術(shù). 2001(01)
本文編號:3345994
【文章來源】:南京理工大學(xué)江蘇省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:50 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1可靠性試驗??J1??
圖6.1集成電路的ESD擊穿??26??
圖6.4樣片蒼片圖??結(jié)論??驗證,樣片電路的失效是由于該電路在使用過程中受到了外界電路芯片中某些存儲管的柵介質(zhì)擊穿,引起存儲管漏電,造成電,致使電路失效[391。??和裝定等過程中,采取凈化電源的措施,避免外部環(huán)境產(chǎn)生大的的影響。??對半導(dǎo)體集成電路和厚膜混合集成電路所出現(xiàn)過的主要的失進行分析,說明了設(shè)計、工藝、檢驗、W及使用等環(huán)節(jié)要針對電路各相關(guān)環(huán)節(jié)控制和管理,避免造成嚴(yán)重的損失。通過對氣、、、、
【參考文獻】:
期刊論文
[1]可伐合金氣密封接的預(yù)氧化[J]. 冷文波,沈卓身. 電子與封裝. 2004(03)
[2]可靠性概念的應(yīng)用必須確切[J]. 趙和義,鄭鵬洲. 微電子學(xué)與計算機. 2003(10)
[3]研究和處理DPA不合格的母體[J]. 趙和義,鄭鵬洲. 半導(dǎo)體技術(shù). 2003(09)
[4]混合集成電路銅功率外殼氣密性失效分析[J]. 耿志挺,馬莒生,寧洪龍,黃福祥. 稀有金屬材料與工程. 2003(08)
[5]ESD破壞的特點及對策[J]. 王衛(wèi)民,孫宇華. 電測與儀表. 2003(05)
[6]從壽命試驗到加速壽命試驗[J]. 茆詩松. 質(zhì)量與可靠性. 2003(01)
[7]破壞性物理分析(DPA)技術(shù)促進國產(chǎn)電子元器件質(zhì)量提高[J]. 徐愛斌,劉發(fā). 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗. 2002(05)
[8]電子元器件破壞性物理分析中幾個難點問題的分析[J]. 張延偉. 電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗. 2002(01)
[9]鍵合質(zhì)量與電子元器件應(yīng)用可靠性[J]. 曹宏斌. 電子元器件應(yīng)用. 2002(Z1)
[10]半導(dǎo)體器件DPA不合格的根源研究[J]. 張素娟,周永寧,鄭鵬洲. 半導(dǎo)體技術(shù). 2001(01)
本文編號:3345994
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