發(fā)布時(shí)間：2021-09-08 15:39

　　本文以TC4鈦合金為研究對(duì)象,首先,研究了TC4鈦合金在模擬海水中電化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨損間的交互作用,考察了不同電化學(xué)狀態(tài)對(duì)TC4鈦合金腐蝕磨損行為的影響。其次,采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)在TC4鈦合金表面制備了Si-DLC薄膜,通過(guò)SEM、XPS、Raman、納米壓痕和劃痕表征方法,研究了摻Si含量對(duì)DLC薄膜結(jié)構(gòu)、成分和機(jī)械性能的影響。通過(guò)摩擦實(shí)驗(yàn)、電化學(xué)測(cè)試和摩擦腐蝕交互實(shí)驗(yàn)測(cè)試方法,研究了Si-DLC薄膜在模擬海水中的摩擦和腐蝕性能。最終,采用PECVD技術(shù)在TC4鈦合金表面制備不同厚度多層（Six-DLC/Siy-DLC）_n薄膜（x,y表示Si含量,n表示周期）,研究了厚度對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、成分、機(jī)械性能、摩擦腐蝕性能影響,重點(diǎn)研究了34μm（Six-DLC/Siy-DLC）₆₀薄膜在不同電化學(xué)狀態(tài)下的摩擦腐蝕交互作用。主要結(jié)論如下:（1）針對(duì)TC4鈦合金在模擬海水中電化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨損間的交互作用研究表明:TC4鈦合金的自腐蝕電位為-0.40 V,在摩擦腐蝕過(guò)程中,TC4鈦合金的自腐蝕電位發(fā)生負(fù)偏移（-0.65 V）... 

【文章來(lái)源】：重慶理工大學(xué)重慶市

【文章頁(yè)數(shù)】：80 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

非晶碳基薄膜三元相圖

多層(Six-DLC/Siy-DLC)

圖 3 碳材料的拉曼光譜圖Fig. 3 Raman spectrum of carbon material一的一階拉曼峰，存在 sp3C-C 鍵，峰位置在 1332C-C 鍵，峰位置一般位于 1580 cm-1或 1575 cm-1，常增加時(shí)，一個(gè)與石墨相相關(guān)的新峰出現(xiàn)在 1360 cm墨微晶粒尺寸的減小，D 峰強(qiáng)度和半峰寬都會(huì)增大方向移動(dòng)。本實(shí)驗(yàn)拉曼測(cè)試結(jié)果，DLC 薄膜的拉曼譜個(gè)不對(duì)稱的寬峰。用計(jì)算機(jī)擬合可將它分解為兩個(gè)心的對(duì)稱峰，分別對(duì)應(yīng) G 峰和 D 峰，這樣的拉曼[37]。本實(shí)驗(yàn)采用 Renishaw-2000 顯微 Raman 光譜儀，測(cè)試參數(shù)為：功率為 2 mV，激光波長(zhǎng)為 532 nm，m-1，每個(gè)樣品測(cè)試 3 次，減少誤差。子能譜（XPS）是用來(lái)分析薄膜元素的化合價(jià)狀態(tài)


本文編號(hào)：3391044