電子產(chǎn)品更新迅速,數(shù)字系統(tǒng)使用頻繁,電子設(shè)備產(chǎn)生的電磁波充斥著生活和工作空間,過(guò)量的電磁輻射造成電磁污染。電磁屏蔽是一種最有效的保護(hù)措施,日益凸顯重要,已成為各國(guó)研究重點(diǎn),發(fā)展高性能屏蔽材料是一個(gè)極為重要的環(huán)節(jié)。鎂是當(dāng)今最輕質(zhì)的環(huán)境友好型工程結(jié)構(gòu)材料,具有較好的電磁屏蔽性能,是很有潛力的電磁屏蔽材料。但是,鎂合金在功能特性和力學(xué)性能上難以兼得,而且鎂合金的應(yīng)用受到強(qiáng)度低等原因的限制。因此,開(kāi)發(fā)出高性能鎂合金是支撐其規(guī)�；瘧�(yīng)用的前提,系統(tǒng)研究鎂合金電磁屏蔽和力學(xué)性能的組織結(jié)構(gòu)影響因素和控制基礎(chǔ),發(fā)展基于合金元素成分及熱處理優(yōu)化選擇的電磁屏蔽和力學(xué)性能調(diào)控方法,協(xié)同提高鎂合金屏蔽和力學(xué)性能,促進(jìn)鎂合金功能特性和力學(xué)性能一體化,對(duì)擴(kuò)大鎂合金的工業(yè)應(yīng)用有重要意義。本文通過(guò)在商用Mg-Zn-Zr鎂合金中復(fù)合添加稀土釔（Y）和鈰（Ce）,控制Ce的添加量,改變Y添加量和Zn/Y原子比,制得了含不同第二相類(lèi)型的Mg-5Zn-xY-1Ce-0.5Zr、Mg-6Zn-xY-0.5Ce-0.4Zr、Mg-2Zn-xY-0.5Ce-0.4Zr系列鎂合金,研究了這三個(gè)體系的鎂合金分別在不同變形狀態(tài)下的電磁屏蔽... 

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

電磁波譜

1 緒 論為了防止電磁輻射，電磁屏蔽是一種非常有效及重要的手段，關(guān)于電磁究成為近年來(lái)的熱點(diǎn)問(wèn)題。目前，一系列的電磁兼容(Electromagpatibility，EMC)標(biāo)準(zhǔn)被制定。近年來(lái)，與發(fā)達(dá)國(guó)家相比，我國(guó)在此方面步較晚，經(jīng)驗(yàn)較少。隨著我國(guó)綜合國(guó)力增強(qiáng)，在電子設(shè)備等方面不斷發(fā)進(jìn)一步擴(kuò)大國(guó)際市場(chǎng)，這些電子設(shè)備等必須達(dá)到國(guó)際上比較高的電磁兼1]。如圖 1.2 概念圖所示，屏蔽體用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧现苽洌帘误w反射電磁，將電磁干擾能量限定在一定范圍，這就是電磁屏蔽(Electromagelding)。電磁屏蔽分為主動(dòng)和被動(dòng)屏蔽兩類(lèi)。主動(dòng)屏蔽是指將電磁干擾能內(nèi)部以防其從內(nèi)部泄漏，相反，則是被動(dòng)屏蔽。

圖 1.3 單層屏蔽體屏蔽機(jī)理示意圖Fig. 1.3 Shielding mechanism of the single planar shield 1.5 和 1.6 可知，反射損耗 RdB與材料特征阻抗值有關(guān)沒(méi)有關(guān)系，吸收損耗 AdB與材料的厚度(t)、電導(dǎo)率((μ)密切相關(guān)。隨著電導(dǎo)率升高，屏蔽體的吸收損耗 ，屏蔽體磁導(dǎo)率提高，AdB增加，吸收損耗AdB正比于材常情況下，電磁屏蔽性能優(yōu)良的材料其磁導(dǎo)率和電導(dǎo)屏蔽者多個(gè)相同或不同的材料疊加獲得多層屏蔽體。多層滿(mǎn)足其他技術(shù)上的要求。電介質(zhì)(空氣)間隙的存在會(huì)屏蔽的等效線(xiàn)路如圖 1.4 所示，傳輸線(xiàn)理論公式如下 = = ，對(duì)于有 N 層平面結(jié)構(gòu)有如下理論計(jì)算方法：

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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[3]第二相對(duì)Mg-Zn-Zr-Y鎂合金動(dòng)態(tài)再結(jié)晶演變及熱加工性的影響[D]. 呂濱江.重慶大學(xué) 2014

碩士論文
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[2]合金元素和軋制對(duì)鎂合金電磁屏蔽性能影響的研究[D]. 劉睿.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[3]Mg-Zn-Y準(zhǔn)晶增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料制備工藝與性能的研究[D]. 吳金珂.中北大學(xué) 2016
[4]變形與熱處理對(duì)AZ系鎂合金電磁屏蔽性能的影響[D]. 張志華.重慶大學(xué) 2013
[5]Mg-Cu-RE（RE=Y,Gd）合金長(zhǎng)周期有序（LPO）相相平衡的研究[D]. 王強(qiáng).東北大學(xué) 2011



本文編號(hào)：3141395