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復合稀土硼化物單晶的制備及其熱發(fā)射性能研究

發(fā)布時間:2020-07-28 09:54
【摘要】:稀土六硼化物是由稀土元素和硼組成的金屬陶瓷材料,具有熔點高、低逸出功、化學穩(wěn)定性高等優(yōu)異性能,是一種性能優(yōu)異的熱電子發(fā)射材料,廣泛應用于國防和民用等多個領(lǐng)域。本文結(jié)合放電等離子燒結(jié)技術(shù)與光學區(qū)熔技術(shù)成功制備了高質(zhì)量、大尺寸復合稀土六硼化物(CeuLaxPrxNdx)B6單晶,對單晶進行了表征,系統(tǒng)的考察了生長速度對單晶的熱發(fā)射性能與質(zhì)量的影響規(guī)律,分析了(Ce1-3xLaxPrxNdx)B6單晶不同晶面的熱發(fā)射特性與力學性能,具體內(nèi)容如下:結(jié)合放電等離子燒結(jié)和光學區(qū)熔技術(shù),成功的制備了大尺寸、高質(zhì)量且成分均勻分布的(Ce0.7La0.1Pr0.1Nd0.1)B6、(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6、(Ce0.25La0.25Pr0.25Nd0.25)B6單晶,XRD、X射線單晶衍射儀和勞埃衍射儀分析表明:三種單晶的取向均為[001]晶向且無雜質(zhì)相生成;單晶衍射證明制備的單晶衍射斑點清晰、相互獨立、無劈裂,且隨著LaB6含量的增加,單晶的晶格參數(shù)逐漸增大;感應耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀(ICP)結(jié)果揭示了單晶生長過程中,出現(xiàn)了元素的揮發(fā),且揮發(fā)速率:LaCePrNd。當二次晶體生長速率在5~9 mm/h范圍內(nèi)時,對單晶的熱發(fā)射特性與力學性能進行了考察,發(fā)現(xiàn)(Ce0.7La0.1Pr0.1Ndo.1)B6單晶隨著速率的變化,熱發(fā)射性能與力學性能變化不大;而對于其它兩種單晶,其熱發(fā)射性能與力學性能均隨著晶體生長速率先增大后減少,在V=7 mm/h時,均達到最佳。對(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6單晶:當電壓為1 kV、工作溫度為1873 K時,材料的熱發(fā)射電流密度為33.373 A/cm2、零場電流密度為22.631 A/cm2、逸出功為2.703 eV,維氏硬度為29.8 GPa、抗彎強度為417.60 MPa,其中電流密度比CeB6單晶提高了 33.27%;對(Ce0.25La0.25Pr0.25Nd0.25)B6單晶:當電壓為1kV、工作溫度為1873 K時,材料的熱發(fā)射電流密度為36.279 A/cm2、零場電流密度為25.877 A/cm2、逸出功為2.681 eV,維氏硬度為27.0 GPa、抗彎強度為655.74 MPa,其中電流密度比CeB6單晶提高了44.884%。(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6 和(Ce0.25La0.25Pr0.25Nd0.25)B6 單晶的熱發(fā)射特性和力學性能均呈現(xiàn)出各向異性:對于熱發(fā)射特性,單晶各晶面的逸出功大小順序為:(100)(310)(210)(110)(111);維氏硬度隨各晶面的變化正好相反:(100)(310)(210)。
【學位授予單位】:合肥工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TG148
【圖文】:

示意圖,晶體結(jié)構(gòu),示意圖,硼原子


面體之間的 B-B 鍵。一個單胞內(nèi)形成 來源于八面體中的 6 個硼原子,另外兩貢獻。稀土原子與硼原子之間沒有價鍵化物具有金屬的導電性[20,21],因此,二有半導體和金屬導體性質(zhì)。硼原子間以穩(wěn)定的三維格架的硼原子基體把稀土原的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性都很高。物單晶體的制備方法主要有以下四osition);(2)熔鹽電解法(Electrolysis of;(4)區(qū)域熔煉法(Floating zone method氣態(tài)的先驅(qū)反應物(制備稀土六硼化物l3和 H2)[22-28],通過原子、分子間化學反而在基體上形成薄膜,這種薄膜需要精含量。這種方法制備單晶的生長速度較體,一般用氣相沉積法制備稀土六硼化

路線圖,實驗技術(shù),路線


合肥工業(yè)大學碩士學位論文第二章 實驗設備及原理原料與實驗技術(shù)路線驗原料采用 CeB6,LaB6,PrB6,NdB6商業(yè)粉末,純度≥99.9%首先按照(1-3x):x:x:x(x=0.1、0.2、0.25)摩爾比例稱量 CeB6dB6原料粉,然后放入 V 型高效混粉機混粉,GN-3 型振動式高隨后取出置于真空干燥箱干燥。采用放電等離子燒結(jié)制備axPrxNdx)B6多晶塊體,利用電火花線切割將多晶塊體切割成區(qū)熔區(qū)域熔煉技術(shù)制備(Ce1-3xLaxPrxNdx)B6單晶體,研究不同參數(shù)(、晶體生長速度包括一次生長速度和二次生長速度、保護氣體速等)對單晶晶體生長的影響,探究五元復合稀土六硼化物單的規(guī)律。實驗技術(shù)路線如圖 2.1 所示。

原理圖,放電等離子燒結(jié),原理圖


燒結(jié)成型技術(shù)。放電等離子燒結(jié)這種技術(shù)的燒結(jié)原理,目前尚未達成統(tǒng)一且具有以下三個方面,第一,放電等離子燒結(jié)可使顆粒表面氧化膜流作用下,就會激發(fā)等離子體,施加的脈沖電壓,會產(chǎn)生電子波,在電場的作用下反方向高速運動,撞擊作用可使燒結(jié)粉末進而不同程度地破壞了粉末顆粒表面的原始氧化膜,達到凈化[55]。第二,放電等離子燒結(jié)技術(shù)具有較強的蒸發(fā)-凝聚機理。當?shù)入x子體,伴隨的是瞬時高達幾千度甚至上萬度的局部高溫,的蒸發(fā)和熔化,快速冷卻導致顆粒接觸點形成燒結(jié)頸部。燒結(jié)汽壓,蒸汽壓差形成物質(zhì)的凝聚,完成蒸發(fā)-凝聚的傳遞[54]。第結(jié)技術(shù)具有很強的體積擴散和晶界擴散。在燒結(jié)過程中粉末不加熱作用、還受到軸向的壓力作用,這加強了體積擴散以及晶界具有共價鍵的物質(zhì),由于其擴散較小,傳統(tǒng)的燒結(jié)方法一般很晶材料,而 SPS 因其較強的體積擴散,晶界擴散從而能夠制備

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