復合稀土硼化物單晶的制備及其熱發(fā)射性能研究
【學位授予單位】:合肥工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TG148
【圖文】:
面體之間的 B-B 鍵。一個單胞內(nèi)形成 來源于八面體中的 6 個硼原子,另外兩貢獻。稀土原子與硼原子之間沒有價鍵化物具有金屬的導電性[20,21],因此,二有半導體和金屬導體性質(zhì)。硼原子間以穩(wěn)定的三維格架的硼原子基體把稀土原的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性都很高。物單晶體的制備方法主要有以下四osition);(2)熔鹽電解法(Electrolysis of;(4)區(qū)域熔煉法(Floating zone method氣態(tài)的先驅(qū)反應物(制備稀土六硼化物l3和 H2)[22-28],通過原子、分子間化學反而在基體上形成薄膜,這種薄膜需要精含量。這種方法制備單晶的生長速度較體,一般用氣相沉積法制備稀土六硼化
合肥工業(yè)大學碩士學位論文第二章 實驗設備及原理原料與實驗技術(shù)路線驗原料采用 CeB6,LaB6,PrB6,NdB6商業(yè)粉末,純度≥99.9%首先按照(1-3x):x:x:x(x=0.1、0.2、0.25)摩爾比例稱量 CeB6dB6原料粉,然后放入 V 型高效混粉機混粉,GN-3 型振動式高隨后取出置于真空干燥箱干燥。采用放電等離子燒結(jié)制備axPrxNdx)B6多晶塊體,利用電火花線切割將多晶塊體切割成區(qū)熔區(qū)域熔煉技術(shù)制備(Ce1-3xLaxPrxNdx)B6單晶體,研究不同參數(shù)(、晶體生長速度包括一次生長速度和二次生長速度、保護氣體速等)對單晶晶體生長的影響,探究五元復合稀土六硼化物單的規(guī)律。實驗技術(shù)路線如圖 2.1 所示。
燒結(jié)成型技術(shù)。放電等離子燒結(jié)這種技術(shù)的燒結(jié)原理,目前尚未達成統(tǒng)一且具有以下三個方面,第一,放電等離子燒結(jié)可使顆粒表面氧化膜流作用下,就會激發(fā)等離子體,施加的脈沖電壓,會產(chǎn)生電子波,在電場的作用下反方向高速運動,撞擊作用可使燒結(jié)粉末進而不同程度地破壞了粉末顆粒表面的原始氧化膜,達到凈化[55]。第二,放電等離子燒結(jié)技術(shù)具有較強的蒸發(fā)-凝聚機理。當?shù)入x子體,伴隨的是瞬時高達幾千度甚至上萬度的局部高溫,的蒸發(fā)和熔化,快速冷卻導致顆粒接觸點形成燒結(jié)頸部。燒結(jié)汽壓,蒸汽壓差形成物質(zhì)的凝聚,完成蒸發(fā)-凝聚的傳遞[54]。第結(jié)技術(shù)具有很強的體積擴散和晶界擴散。在燒結(jié)過程中粉末不加熱作用、還受到軸向的壓力作用,這加強了體積擴散以及晶界具有共價鍵的物質(zhì),由于其擴散較小,傳統(tǒng)的燒結(jié)方法一般很晶材料,而 SPS 因其較強的體積擴散,晶界擴散從而能夠制備
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