含氫原子缺陷晶界的剪切行為
[Abstract]:For four 偽 -Fe symmetric inclined grain boundaries, the distribution characteristics of segregation energy of H atoms in the four grain boundaries were investigated by molecular statics. The effects of different number of H atoms implanted in grain boundaries on shear behavior at room temperature were studied by molecular dynamics method. H atoms were implanted into the interface in a random manner. The density 蟻 of H atom is defined by the ratio of the number of implanted H atoms to the grain boundary area. During the analysis of the shear behavior of the grain boundaries containing H atoms, the variation trend of the initial plastic critical stress and the grain boundary migration displacement of the four grain boundaries at different H atom densities 蟻 and the microscopic deformation mechanism of the four grain boundaries during loading were investigated. The results show that the segregation energy of H atoms in grain boundaries is obviously low, and the H atoms near the four grain boundaries will spontaneously segregate into the grain boundaries, and with the increasing of the number of H atoms implanted, The initial plastic critical stress at grain boundary and the stress at subsequent deformation stage will decrease. The implantation of H atoms in grain boundaries will change the microscopic deformation mechanism of grain boundaries in essence, and then affect the migration properties of grain boundaries under external loads. Compared with the deformation mechanism of the grain boundary without H atom, it is found that the microstructure of the grain boundary will undergo intense evolution during loading. The diffusion and cluster effect of H atoms will lead to the formation of nano-pore defects in the grain boundary.
【作者單位】: 西安交通大學(xué)航天航空學(xué)院機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與振動(dòng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室/陜西省航天結(jié)構(gòu)振動(dòng)控制工程實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11502191,11372238,11632014)
【分類號(hào)】:TG111.2
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,本文編號(hào):2216560
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