本文選題：高純鎳 + 三叉晶界�。� 參考：《中國科學(xué):技術(shù)科學(xué)》2017年11期

【摘要】：采用電子背散射衍射技術(shù)研究了厚度減縮量為5%小變形冷軋高純鎳三叉晶界在800℃的退火行為.結(jié)果表明:退火初期,在某些三叉晶界處、尤其是至少包含兩條一般大角度晶界的三叉晶界處產(chǎn)生了再結(jié)晶晶核,這些晶核均與基體成1 1 1/60°取向差關(guān)系,關(guān)聯(lián)界面均為非共格Σ3晶界;在進一步退火過程中,這些晶核中的大部分被其他快速長大的晶粒所吞并,此類晶粒是樣品中的原有晶粒,它們通過形變誘發(fā)晶界遷移的方式快速長大,并在長大過程中激發(fā)出大量Σ3n(n=1,2,3…)等重位點陣晶界.分析認為,退火初期,小變形高純鎳三叉晶界處產(chǎn)生與基體成非共格Σ3界面關(guān)系的晶核只是起到了釋放該處應(yīng)變集中的作用,對進一步退火過程中晶界特征分布的演化沒有本質(zhì)影響.
[Abstract]:The annealing behavior of high purity nickel grain boundary at 800 鈩，

本文編號：1981439