本文選題：磁性材料 + 相轉(zhuǎn)變��； 參考：《稀有金屬》2017年08期

【摘要】：利用電弧熔煉制備出單相的TmGa化合物,TmGa顯示了兩個連續(xù)的相變:在11.5 K處為反鐵磁到反鐵磁(AFMΙ-AFMΠ)相變,在15 K處為反鐵磁到順磁(AFMΠ-PM)相變。反鐵磁區(qū)域存在場誘導的反鐵磁到鐵磁(AFM-FM)變磁轉(zhuǎn)變。雖然TmGa的基態(tài)是反鐵磁,但是當在較低磁場(0.02 T)下,在12 K附近誘導出鐵磁態(tài),因此在一定磁化強度范圍內(nèi)存在AFMΙ-FM,FM-AFMП和AFMП-PM相變。當磁場為0.2 T時AFMΠ態(tài)完全消失,AFM-PM的轉(zhuǎn)變成為FM-PM的轉(zhuǎn)變。低溫AFMΙ態(tài)隨磁場的變化是不可逆的,而AFMΠ態(tài)隨磁場的變化是可逆的。根據(jù)溫度和磁場的變化繪制了TmGa的磁相圖。TmGa在相變溫度附近具有較大的磁熵變(-ΔSM),當磁場變化為5 T時,最大-ΔSM為34.2J·kg-1·K-1。值得注意的是,在磁場變化為1和2 T時,最大-ΔSM分別為12.9和20.7 J·kg-1·K-1。同時通過計算得到在1,2和5 T下的磁制冷能力(RC)分別為69,149和364 J·kg-1。TmGa化合物作為低溫磁制冷材料潛在巨大應用前景。
[Abstract]:The single-phase TmGa compound TMGA prepared by arc melting shows two continuous phase transitions: the antiferromagnetic to antiferromagnetic AFM I-AFM 鈪，

本文編號：1816199