本文關(guān)鍵詞：輔助陽(yáng)極對(duì)高功率脈沖磁控濺射放電特性的影響

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【摘要】：針對(duì)高功率脈沖磁控濺射(HIPIMS)存在的低濺射率靶材放電時(shí)離化率有待進(jìn)一步提高的問(wèn)題,通過(guò)增加輔助陽(yáng)極的方法來(lái)提高HIPIMS的離化率。研究了輔助陽(yáng)極電壓、陽(yáng)極位置以及磁控陽(yáng)極的類型對(duì)HIPIMS放電特性的影響。結(jié)果表明:隨著陽(yáng)極電壓的增加,基體離子電流值逐漸增大,并且當(dāng)陽(yáng)極電壓為90 V時(shí),基體離子電流值最高可增加到4倍。隨著陽(yáng)極位置由45°位置處變化為180°位置處時(shí),由于電場(chǎng)在與磁場(chǎng)垂直方向上的分量逐漸減少,導(dǎo)致了基體離子電流值呈現(xiàn)出逐漸下降的趨勢(shì)。此外,當(dāng)陽(yáng)極附加擴(kuò)散型非平衡磁場(chǎng)后,獲得的基體離子電流值最大。輔助陽(yáng)極處于不同位置時(shí),隨著陽(yáng)極電壓的增加,HIPIMS放電系統(tǒng)中Ar~0、Ar~(1+)、V~0和V~(1+)粒子譜線強(qiáng)度均有不同程度的增加。當(dāng)陽(yáng)極處于45°位置時(shí),各種粒子譜線強(qiáng)度增加最為顯著。增加輔助陽(yáng)極后HIPIMS放電時(shí)真空室內(nèi)各個(gè)位置處的基體離子電流值均有所增加,并且當(dāng)陽(yáng)極處于45°位置時(shí)的增加幅度最為明顯,系統(tǒng)等離子體密度增幅最高可增加到3倍。
【作者單位】： 東北林業(yè)大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院;哈爾濱工業(yè)大學(xué)先進(jìn)焊接與連接國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;東北林業(yè)大學(xué)林業(yè)工程博士后流動(dòng)站;黑龍江工程學(xué)院材料與化學(xué)工程系;
【關(guān)鍵詞】： 高功率脈沖磁控濺射 輔助陽(yáng)極 離化率 基體離子電流 發(fā)射光譜
【基金】：中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金項(xiàng)目資助(2572015CB07) 黑龍江省科學(xué)基金項(xiàng)目資助(QC2016053) 哈爾濱市科技創(chuàng)新人才專項(xiàng)資金項(xiàng)目資助(2016RAQXJ016) 中國(guó)博士后科學(xué)基金項(xiàng)目資助(2016M590273) 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資助(U1330110,51175118) 黑龍江省教育廳科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目資助(12523008)
【分類號(hào)】：TG174.444
【正文快照】： 高功率脈沖磁控濺射(HIPIMS)技術(shù)是一門具有高離化率特征的新興磁控濺射技術(shù),它兼具磁控濺射和多弧離子鍍的優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“無(wú)大顆粒的多弧離子鍍”。HIPIMS最先由瑞典Kouznetsov等[1]于1999年提出,該技術(shù)利用磁控靶的脈沖(50~200μs/1500~2000 V)高功率耦合(磁控靶峰值功率密度

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 周青春,陳錚,董師潤(rùn);電場(chǎng)輔助陽(yáng)極連接機(jī)制研究進(jìn)展[J];華東船舶工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2002年02期

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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

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本文編號(hào)：1133580