本文關(guān)鍵詞：基于核應(yīng)用下碳化硅陶瓷及其復(fù)合材料的連接研究進(jìn)展

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【摘要】：SiC陶瓷及其復(fù)合材料憑借其自身固有的核輻射下的穩(wěn)定性而有望成為新一代核裂變以及未來核聚變反應(yīng)堆中重要的結(jié)構(gòu)材料。能否滿足核應(yīng)用環(huán)境下各種苛刻條件而實現(xiàn)完美連接是其能夠得到最終應(yīng)用的關(guān)鍵。本文綜述了目前國際上基于核應(yīng)用上SiC陶瓷及其復(fù)合材料的幾種連接工藝的發(fā)展情況。
【作者單位】： 福州大學(xué)機械工程及自動化學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： SiC陶瓷及其復(fù)合材料 核應(yīng)用 連接工藝
【基金】：國家自然科學(xué)基金青年基金(51305081) 福建省教育廳A類面上基金(JA13052) 福州大學(xué)科研啟動基金(022519)
【分類號】：TQ174.1
【正文快照】： 1引言碳化硅(Silicon Carbide,Si C)陶瓷是一種非常重要的工程材料,因其具有硬度大、強度高、熱力學(xué)性能好、熱導(dǎo)率高、抗熱沖擊性好以及出色的抗氧化性等特點而廣泛應(yīng)用于有色金屬冶煉、鋼鐵、冶金以及航空航天等領(lǐng)域[1-4]。與陶瓷材料相比,碳化硅陶瓷基復(fù)合材料不但具有上述，

本文編號：853333