本文關(guān)鍵詞：二維硫化鉬基原子晶體材料的化學(xué)氣相沉積法制備及其器件

  更多相關(guān)文章： 二硫化鉬 化學(xué)氣相沉積 光電器件 二維異質(zhì)結(jié)

【摘要】：二維過(guò)渡族金屬硫?qū)倩衔镆蚱鋷毒哂袕?qiáng)烈的層數(shù)依賴性而在電子器件方面具有廣泛的應(yīng)用前景。其中單層二硫化鉬(MoS_2)是該系列材料中最典型的一種直接帶隙半導(dǎo)體,它具有優(yōu)異的光、電、磁、熱和力學(xué)性能。二維MoS_2有望在光電探測(cè)、光伏器件、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、存儲(chǔ)器件、谷電子和自旋器件、溫差電器件、微納機(jī)電器件和系統(tǒng)等方面得以廣泛應(yīng)用�；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)法已成為制備二維過(guò)渡族金屬硫?qū)倩衔锶鏜oS_2、MoSe_2、WS_2和WSe_2等原子層薄膜的主要手段,尤其科學(xué)界利用CVD法對(duì)二維MoS_2材料進(jìn)行了深入的制備探索,通過(guò)該方法制備的MoS_2薄膜在電子和光電器件方面已經(jīng)有廣泛研究。本文將從二維MoS_2的基本物性出發(fā),詳細(xì)介紹CVD法制備MoS_2的各種工藝過(guò)程,如熱分解硫代硫酸鹽法、硫化Mo(MoO_(3-x))薄膜制備法、MoO_(3-x)粉體與硫?qū)偾膀?qū)體氣相合成法和鉬箔表面直接硫化法,并介紹了基于MoS_2的二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑方法。在制備材料的基礎(chǔ)上,詳細(xì)闡述了二維MoS_2在場(chǎng)效應(yīng)晶體管、光電探測(cè)器、柔性電子器件以及異質(zhì)結(jié)器件方面的應(yīng)用,并展望了二維材料在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用前景。
【作者單位】： 南京航空航天大學(xué)航空宇航學(xué)院機(jī)械結(jié)構(gòu)與控制國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室納智能材料器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和納米科學(xué)研究所;南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 二硫化鉬 化學(xué)氣相沉積 光電器件 二維異質(zhì)結(jié)
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(No.61474063,11302100) 南京航空航天大學(xué)基金(No.NJ20140002,NE2015102,NZ2015101) 江蘇省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(No.SBK2015022205) 機(jī)械結(jié)構(gòu)力學(xué)與控制國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金項(xiàng)目(No.0413Y02,0415G02) 江蘇省高校優(yōu)勢(shì)學(xué)科建設(shè)工程資助~~
【分類號(hào)】：TQ136.12
【正文快照】： The work was supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61474063,11302100),the Innovation Fund of NUAA(No.NJ20140002,NE2015102,NZ2015101),the National Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.SBK2015022205),SKL Funding ofNU

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 鄭治祥;化學(xué)氣相沉積碳化硅薄膜的研究[J];硅酸鹽學(xué)報(bào);1995年05期

2 薛連偉;;多晶硅化學(xué)氣相沉積數(shù)值模擬的研究進(jìn)展[J];化工技術(shù)與開(kāi)發(fā);2013年09期

3 張迎光,白雪峰,張洪林,劉寧生;化學(xué)氣相沉積技術(shù)的進(jìn)展[J];中國(guó)科技信息;2005年12期

4 夏小霞;周乃君;王志奇;;多晶硅化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的三維數(shù)值模擬[J];人工晶體學(xué)報(bào);2014年03期

5 羅瑞盈，李賀軍，楊崢，康沫狂;化學(xué)氣相沉積碳／碳復(fù)合材料性能研究[J];無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào);1996年01期

6 楊紅;化學(xué)氣相沉積法制備的錳氧化物薄膜的電色性質(zhì)[J];中國(guó)錳業(yè);1996年04期

7 張攀;王偉文;陳光輝;李建隆;;流態(tài)化多晶硅化學(xué)氣相沉積過(guò)程的數(shù)值模擬[J];人工晶體學(xué)報(bào);2012年04期

8 李建隆;陳光輝;張攀;王偉文;段繼海;;流化床化學(xué)氣相沉積多晶硅的技術(shù)進(jìn)步與挑戰(zhàn)(英文)[J];Chinese Journal of Chemical Engineering;2011年05期

9 梁博，黃政仁，江東亮，譚壽洪，陸忠乾;化學(xué)氣相沉積法制備SiC納米粉[J];無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào);1996年03期

10 ;化學(xué)氣相沉積耐磨、耐熱金剛石薄膜[J];稀有金屬材料與工程;1994年02期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 龐世紅;馬眷榮;馬振珠;;在線化學(xué)氣相沉積過(guò)程的動(dòng)力學(xué)研究[A];2007中國(guó)浮法玻璃及玻璃新技術(shù)發(fā)展研討會(huì)論文集[C];2007年

2 楊艷;;化學(xué)氣相沉積碳化硅[A];第三屆全國(guó)化學(xué)工程與生物化工年會(huì)論文摘要集（下）[C];2006年

3 徐幸梓;張力;曾丁丁;陳玉安;韓志范;;氫在化學(xué)氣相沉積制備碳材料過(guò)程中的作用[A];2007高技術(shù)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會(huì)暨《材料導(dǎo)報(bào)》編委會(huì)年會(huì)論文集[C];2007年

4 周健;羅迎社;李立君;鐘琦文;殷水平;;激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積制造微碳柱的研究[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)、中國(guó)力學(xué)學(xué)會(huì)第九屆全國(guó)流變學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2008年

5 魏雨;;利用含鐵廢棄物制備超細(xì)氧化鐵的新工藝[A];中國(guó)納米級(jí)無(wú)機(jī)粉體材料發(fā)展·節(jié)能·環(huán)保高峰論壇論文集[C];2007年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前6條

1 趙萬(wàn)順;高溫化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的溫度場(chǎng)和流場(chǎng)的研究與改進(jìn)[D];華北電力大學(xué);2012年

2 王薇;錸的化學(xué)氣相沉積前驅(qū)體的合成探究[D];昆明理工大學(xué);2013年

3 趙學(xué)嘉;化學(xué)氣相沉積HfC陶瓷涂層的制備和結(jié)構(gòu)[D];中南大學(xué);2012年

4 石淑秀;化學(xué)氣相沉積法制備碳納米管陣列的進(jìn)一步研究及其應(yīng)用基礎(chǔ)研究[D];天津大學(xué);2012年

5 余風(fēng)利;碳納米管化學(xué)氣相沉積爐的優(yōu)化設(shè)計(jì)與仿真[D];南昌大學(xué);2015年

6 唐冬梅;陣列碳納米管的制備及其應(yīng)用研究[D];西南科技大學(xué);2015年

，

本文編號(hào)：775338