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氫終結金剛石表面P型導電溝道穩(wěn)定性研究

發(fā)布時間:2017-08-09 20:22

  本文關鍵詞:氫終結金剛石表面P型導電溝道穩(wěn)定性研究


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【摘要】:原位測試了氫終結金剛石膜在氮氣保護和大氣氣氛中加熱時的表面導電特征,分析并討論了該導電溝道的高溫穩(wěn)定性。結果表明,室溫下氫終結金剛石表面電導率均在10~(-5)S量級。隨著溫度的升高,N_2氣氛下的金剛石膜表面電導率呈現(xiàn)逐漸下降的趨勢,而大氣中加熱的金剛石膜表面電導率則出現(xiàn)了明顯的臺階式降低。對于后者而言,金剛石表面在120℃發(fā)生的第二層水分子脫附和230℃下CH基團的分解,是其電導率發(fā)生階梯式下降的主要原因。而在氮氣(N_2)氣氛下氫終結金剛石膜表面導電溝道表現(xiàn)出更高的分子水脫附溫度(300℃)和氫分解溫度(400℃),表明氣氛保護可有效提高氫終結金剛石表面導電溝道的穩(wěn)定性。
【作者單位】: 北京科技大學新材料技術研究院;北京科技大學鋼鐵冶金新技術國家重點實驗室;河北省半導體所專用集成電路重點實驗室;
【關鍵詞】氫終結 金剛石膜 表面導電性 穩(wěn)定性
【基金】:國家自然科學基金(51402013) 中國博士后科學基金特別資助項目(2015T80037);中國博士后科學基金(一等)(2014M550022) 中央高;究蒲袠I(yè)務費(FRF-TP-15-052A2) 專用集成電路重點實驗室基金
【分類號】:TQ163;TB383.2
【正文快照】: 金剛石具有優(yōu)異的力學、光學[1]、熱學[2]及電學性能,特別是電學方面具有寬帶隙(5.5 e V)、高載流子遷移率(特別是空穴遷移率比單晶Si、Ga As高得多)、低介電常數(shù)(5.7)、高的Johnson指標和Keyse指標(均高于Si和Ga As 10倍以上)等等,因此被譽為高頻高功率電子器件的最佳選擇[3]

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本文編號:647140

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