本文關(guān)鍵詞：沉積壓力對(duì)氫化非晶硅薄膜特性的影響

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【摘要】：采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)系統(tǒng),以乙硅烷和氫氣為氣源,普通鈉鈣玻璃為襯底制備了氫化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了沉積壓力對(duì)非晶硅薄膜的沉積速率、光學(xué)帶隙以及結(jié)構(gòu)因子的影響。采用臺(tái)階儀、紫外可見分光光度計(jì)、傅里葉變換紅外光譜儀和掃描電子顯微鏡等手段分別表征了a-Si∶H薄膜的沉積速率,光學(xué)帶隙、結(jié)構(gòu)因子和表面形貌。結(jié)果表明:隨著沉積壓力的增加,沉積速率呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢(shì),光學(xué)帶隙不斷下降。當(dāng)沉積壓力小于210Pa時(shí),以SiH鍵存在的H原子較多,而以SiH2或SiH3等形式存在的H較少;當(dāng)沉積壓力大于210Pa時(shí),以SiH2,(SiH2)n或SiH3等形式存在的H較多。通過結(jié)構(gòu)因子的計(jì)算,發(fā)現(xiàn)沉積壓力在110~210Pa的范圍內(nèi)沉積的薄膜質(zhì)量較好。
【作者單位】： 云南師范大學(xué)可再生能源材料先進(jìn)技術(shù)與制備教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;四川文理學(xué)院物理與機(jī)電工程學(xué)院;Department
【關(guān)鍵詞】： PECVD 沉積壓力 沉積速率 光學(xué)帶隙 結(jié)構(gòu)因子
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51362031,U1037604) 四川省教育廳科研項(xiàng)目(15ZB0317)資助
【分類號(hào)】：TQ127.2;TB383.2
【正文快照】： 3.Department of Physics and Astronomy,University of Toledo,Toledo OH 43606,USA引言Chittick等對(duì)氫化非晶硅(a-Si∶H)薄膜展開研究,提出了一種非晶硅制備的新方法,即目前廣泛采用的射頻輝光放電技術(shù)和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)[1]。Spear等利用硅烷(SiH4)的直

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1 殷海榮;劉盼;郭宏偉;董繼先;吳陽(yáng);莫祖學(xué);;Bi_2O_3-B_2O_3-RE_2O_3(RE=Ce,Tb)玻璃的光學(xué)帶隙[J];陜西科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2014年01期

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本文編號(hào)：640626