本文關(guān)鍵詞：新型整平劑TS-L對銅電沉積的影響

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【摘要】：通過極化曲線、電化學(xué)阻抗譜、計(jì)時(shí)電流等電化學(xué)測量方法研究了整平劑TS-L對銅電沉積的影響�；A(chǔ)鍍液組成為:Cu SO_4·5H_2O 75 g/L,H_2SO_4 240 g/L,Cl~-60 mg/L。結(jié)果表明,TS-L會抑制銅的電沉積,有利于得到平整、光亮的鍍層。隨TS-L用量增大,其抑制作用增強(qiáng)。TS-L的用量為50 mg/L時(shí),銅的電沉積由基礎(chǔ)鍍液的三維瞬時(shí)成核轉(zhuǎn)變?yōu)槿S連續(xù)成核。隨TS-L質(zhì)量濃度的增大,鍍液的深鍍能力提高。在電鍍液中添加50 mg/L整平劑TS-L、10 mg/L光亮劑TS-S和600 mg/L抑制劑TS-W時(shí),深鍍能力為87%,銅鍍層的延展性和可靠性滿足印制線路板行業(yè)的應(yīng)用要求。
【作者單位】： 廣東東碩科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 電鍍銅 整平劑 深鍍能力 極化 電結(jié)晶 延展性 可靠性
【分類號】：TQ153.14
【正文快照】： 隨著電子信息行業(yè)的高速發(fā)展,提升高厚徑比PCB(印制線路板)產(chǎn)品的深鍍能力變得尤為重要。深鍍能力的提高不僅可以提升產(chǎn)品性能,而且能節(jié)約成本。開發(fā)高性能的添加劑是提高深鍍能力最快捷有效的方式之一。PCB通孔電鍍添加劑一般分為光亮劑、整平劑和抑制劑。光亮劑多為帶有磺酸

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1 李超;孫江燕;韓贏;曹海勇;孫紅旗;李明;;整平劑及電流密度對電子封裝用銅微凸點(diǎn)電鍍的影響[J];電鍍與涂飾;2012年12期

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本文編號：512017