本文關鍵詞：退火溫度對CdSe納米薄膜的形成及光電性能影響，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：在室溫下,采用循環(huán)伏安法在ITO上沉積CdSe納米薄膜。利用X射線衍射儀(XRD)、場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜分析(XPS)、紫外-可見(UV-VIS)分光光度計以及電化學工作站對不同溫度退火后的CdSe納米薄膜的晶體結構、形貌、光學性能、光電化學性能進行表征和測試。結果表明,退火溫度對CdSe納米薄膜的形貌和性能起到關鍵性作用。薄膜表面平整、厚度均勻,且由呈納米顆粒狀的立方相CdSe構成;經(jīng)退火后,CdSe納米顆粒出現(xiàn)不同程度的長大現(xiàn)象,Se含量隨退火溫度的升高而減少。紫外-可見吸收光譜表明隨著退火溫度的升高,CdSe納米薄膜對可見光的吸收發(fā)生紅移,表明禁帶寬度逐漸減小,表現(xiàn)出量子尺寸效應。通過光電流測試表明隨著退火溫度的升高,CdSe薄膜的光電響應效應顯著提高。
【作者單位】： 太原理工大學新材料界面科學與工程教育部重點實驗室;太原理工大學材料科學與工程學院;太原理工大學新材料工程技術研究中心;
【關鍵詞】： 電化學沉積 CdSe納米薄膜 退火溫度 光電響應效應
【基金】：國家自然科學基金(No.51402209) 山西省基礎研究項目(No.2015021075) 浙江省固態(tài)光電器件重點實驗室基金(No.2013E100221502) 校青年基金(No.2013Z033)資助項目
【分類號】：TQ132.44;TB383.2
【正文快照】： 0引言Ⅱ-Ⅵ族納米半導體材料,因其獨特的光電特性及其在光學、電學和生物學等領域的應用前景而引起廣泛關注[1-3]。其中Cd Se是直接禁帶半導體,且其具有與太陽光光譜中可見光波段相適應的帶寬(1.73 e V)而被用于制作發(fā)光二極管(LED)[4]、場效應晶體管(FET)[5]、太陽能電池[6]

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  本文關鍵詞：退火溫度對CdSe納米薄膜的形成及光電性能影響，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：465634