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一維超導體RbCr 3 As 3 和拓撲絕緣體Bi 1.08 Sn 0.02 Sb 0.9 Te 2 S的點接觸隧道譜研

發(fā)布時間:2024-06-05 05:50
  隨著新型超導體不斷涌現(xiàn),這些新材料的超導機理問題成為超導研究的重要方向,其中非電-聲子耦合的非常規(guī)超導機理問題是超導研究中的一個重要科學問題;诹孔恿W的隧道效應,人們發(fā)展出隧道結技術來研究材料費米能附近電子態(tài)密度的信息。而點接觸Andreev反射隧道譜作為探測超導能隙結構的一個重要工具,被廣泛用于研究非常規(guī)超導的能隙函數及相關的超導電子配對機理。本文中,我們主要利用點接觸隧道譜這種實驗技術對一維非常規(guī)超導體RbCr3As3的能隙結構,以及s波超導體/拓撲絕緣體隧道結的性質進行了研究,得到了一些較為重要的結果。第一章首先介紹了超導研究的背景,并對最近發(fā)現(xiàn)的Cr基超導體進行了系統(tǒng)介紹;之后對拓撲絕緣體以及Sn摻雜的Bi1.1Sb0.9Te2S這一較為純凈的拓撲絕緣體的研究背景進行了簡單介紹。第二章著重介紹點接觸(Andreev反射譜)的實驗測量原理和方法,并基于Blonder,Tinkham和Klapwijk(BTK)三人提出的理論模型對Andreev反射譜進行了理解。同時介紹...

【文章頁數】:120 頁

【學位級別】:博士

【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 引言
    1.1 超導材料研究和發(fā)展過程
        1.1.1 超導材料的發(fā)展和分類
        1.1.2 超導機理問題概述
        1.1.3 基于Cr的超導體系的研究
    1.2 拓撲絕緣體研究背景
        1.2.1 拓撲絕緣體的發(fā)現(xiàn)和基本物理性質
        1.2.2 拓撲絕緣體Bi1.1Sb0.9Te2S的研究背景
    參考文獻
第二章 隧道譜的實驗原理與方法
    2.1 隧穿現(xiàn)象
        2.1.1 單粒子隧穿效應
    2.2 Andreev反射
    2.3 Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK)理論
        2.3.1 BTK基本理論表述
        2.3.2 BTK理論的進一步發(fā)展
    2.4 隧道結的制備方法和測量手段
        2.4.1 隧道結的制備
        2.4.2 隧道結的測量裝置
    參考文獻
第三章 超導體RbCr3As3的能隙性質研究
    3.1 RbCr3As3的研究背景
    3.2 RbCr3As3的超導表征和試驗方法
    3.3 RbCr3As3的點接觸Andreev反射譜結果
    3.4 RbCr3As3的掃描隧道譜結果
    3.5 分析與討論
    3.6 本章小結
    參考文獻
第四章 拓撲絕緣體Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S與超導Nb針尖的點接觸隧道譜研究
    4.1 研究背景
    4.2 實驗方法
    4.3 實驗結果
        4.3.1 輸運和磁阻測量
        4.3.2 Nb/Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S構成的NIS結點接觸譜
        4.3.3 分析與討論
    4.4 本章小結
    參考文獻
第五章 離子液體門電壓調控技術在超導體上的應用
    5.1 研究背景
    5.2 基本概念和實驗原理
    5.3 樣品制備方法
    5.4 實驗方法和結果
    5.5 本章小結
    參考文獻
第六章 全文總結
科研成果
致謝



本文編號:3989742

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