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硅基表面微納結(jié)構(gòu)的制備及光學(xué)特性研究

發(fā)布時間:2024-04-07 02:33
  隨著全球能源危機以及環(huán)境污染問題越來越嚴重,新型能源特別是太陽能越來越被研究者們所青睞,但太陽能的轉(zhuǎn)換效率仍有待提高。因此,目前主要的研究方向是表面織構(gòu)的制備以及其光學(xué)特性的表征,以期待可以提高太陽能轉(zhuǎn)換效率。本文主要采用雙槽電化學(xué)腐蝕法制備納米多孔硅結(jié)構(gòu),通過對制備的樣品進行掃描電鏡、發(fā)光強度以及反射率、透光率的測試,探究了在電解液(乙醇與氫氟酸)配比不同、電解時間不同、電解液電流密度不同下對多孔硅結(jié)構(gòu)的表面形貌以及光學(xué)特性的影響,從而優(yōu)化多孔硅的制備工藝。再通過模板法將制備出來的納米多孔結(jié)構(gòu)復(fù)制到太陽能電池表面,使得能夠在太陽能電池表面形成一層納米多孔結(jié)構(gòu)的薄膜。采用掃描電鏡觀察不同工藝條件下在硅片表面形成的結(jié)構(gòu)形貌以及復(fù)制到太陽能電池薄膜表面上的結(jié)構(gòu)形貌。采用紫外紅外分光光度計以及熒光分光光度計檢測硅片和薄膜表面結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性,從而優(yōu)化出最佳的工藝制備條件,然后通過對樣品進行光伏性能的檢測進一步的驗證結(jié)果,最后通過仿真模擬軟件從理論上證明納米多孔硅結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性以及本質(zhì)。結(jié)果表明:不同的制備工藝會在硅片表面形成的不同的納米多孔結(jié)構(gòu),且發(fā)光強度也隨著電解液濃度的變化、電流密度的變化...

【文章頁數(shù)】:71 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.2理想的多孔硅結(jié)構(gòu)以及多孔硅光陷阱示意圖

圖1.2理想的多孔硅結(jié)構(gòu)以及多孔硅光陷阱示意圖

的微觀結(jié)構(gòu)微觀結(jié)構(gòu)包括很多方面,比如:孔的深度、孔徑的大形貌、孔隙體積與硅在自然狀態(tài)下總體積的百分比等微觀結(jié)構(gòu)的有SEM、TEM、ECAFM、熒光分光光度,不同的制備工藝如:電解密度、電解時間、電解液形貌也將會不一樣。大孔(macropores)一般通常是由大于50納米,中....


圖1.3單槽電化學(xué)腐蝕法示意圖[59]

圖1.3單槽電化學(xué)腐蝕法示意圖[59]

安徽工程大學(xué)碩士學(xué)位論文位置的支架剛好能夠?qū)⒄麄電槽液分離成兩個獨立半槽,這兩個獨立的半槽完全的隔離,只能通過導(dǎo)線彼此的銜接。放置在中間位置的硅片也有要求,其拋光面對著陰極,未拋光面對著陽極。實驗開始時接通電源,電流通過連接兩端的導(dǎo)線從獨立半槽的一端流向另外一端,對著陰極的拋光面....


圖1.4雙槽電化學(xué)腐蝕法示意圖[fsi.szl

圖1.4雙槽電化學(xué)腐蝕法示意圖[fsi.szl

安徽工程大學(xué)碩士學(xué)位論文位置的支架剛好能夠?qū)⒄麄電槽液分離成兩個獨立半槽,這兩個獨立的半槽完全的隔離,只能通過導(dǎo)線彼此的銜接。放置在中間位置的硅片也有要求,其拋光面對著陰極,未拋光面對著陽極。實驗開始時接通電源,電流通過連接兩端的導(dǎo)線從獨立半槽的一端流向另外一端,對著陰極的拋光面....


圖1.5光化學(xué)腐蝕法原理圖

圖1.5光化學(xué)腐蝕法原理圖

安徽工程大學(xué)碩士學(xué)位論文鍵逐漸將代替已經(jīng)減弱的Si-Si鍵,生成的氧化物覆蓋在硅片,硅就會發(fā)生電拋光現(xiàn)象,刻蝕速率約為1.5nm/min。進行光化學(xué)腐蝕法的時候,除了原有的酸溶液外,還可以添加碘分子[70]、硝酸[71]、三氯化鐵等[72]作為氧化劑,加快反應(yīng)速度,減少制....



本文編號:3947541

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