密度泛函理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)表明,2H-MoS₂電催化析氫催化劑的活性位點(diǎn)為邊緣不飽和的Mo或S位點(diǎn)。受這一基本認(rèn)識的啟發(fā),人們致力于通過納米結(jié)構(gòu)的工程設(shè)計(jì)來增加二硫化鉬催化劑上暴露的活性位點(diǎn)數(shù)量。但相比于大量的基面位點(diǎn),邊緣位點(diǎn)的數(shù)量畢竟是少數(shù)。因此,通過適當(dāng)?shù)奈锢砘蚧瘜W(xué)方法激活基面的惰性位點(diǎn)更具有科學(xué)意義。通過應(yīng)變S空位、金屬摻雜和非金屬摻雜的典型研究案例重點(diǎn)討論了2H-MoS₂電催化析氫催化劑基面激活研究進(jìn)展。

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
1 基面應(yīng)變S空位提升2H-Mo S2析氫性能
2 金屬摻雜提升2H-Mo S2析氫活性
3 非金屬摻雜的Mo S22H-Mo S2析氫活性
4 結(jié)語



本文編號：3880806