氧化銦是一種重要的n型半導(dǎo)體材料,禁帶寬度較寬（2.30～3.75 eV）、具有良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能,被廣泛應(yīng)用在氣體傳感器和光電催化等研究領(lǐng)域。科研工作者為了改善單一氧化銦的氣敏性能,采用的改性方法包含結(jié)構(gòu)改性、組分改性以及其他創(chuàng)新的新策略。本論文分別采用紫外光液相還原法制備原子分散的Au負(fù)載In2O3材料和溶劑熱法制備了 Ni摻雜的In2O3材料,結(jié)合相關(guān)的表征手段對(duì)材料的微觀結(jié)構(gòu)、形貌和氣敏傳感機(jī)制進(jìn)行了深入的研究。具體研究?jī)?nèi)容如下:1、采用沉淀法獲得具有較高比表面積的In2O3載體材料,通過(guò)紫外光液相還原法制備了原子分散的Au負(fù)載In2O3納米材料。發(fā)現(xiàn)0.25%Au/In2O3樣品在較低的工作溫度下（100℃）,對(duì)HCHO氣體具有最高的響應(yīng)。利用XPS、TEM等技術(shù)對(duì)材料的組成和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,通過(guò)原位CO-DRIFTS分析以進(jìn)一步研究Au的分散狀態(tài)。結(jié)果表明,Au在材料表面分散性較高,易形成均一的活性位點(diǎn),有效的改善了傳感器的氣敏選擇性。Au的負(fù)載促進(jìn)了材料表面化學(xué)吸附氧的形成,從而提高材料的氣敏性能。2、采用溶劑熱的方法制備了不同含量（1%、3%、5%）Ni摻雜的空心花狀I(lǐng)... 

【文章頁(yè)數(shù)】：89 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集
摘要
ABSTRACT
符號(hào)說(shuō)明
第一章 緒論
    1.1 氣體傳感器概述
    1.2 氧化銦納米材料概述
    1.3 氧化銦納米材料的制備方法
        1.3.1 水熱溶劑熱法
        1.3.2 化學(xué)氣相沉積法
        1.3.3 模板法
        1.3.4 超聲噴霧熱解法
        1.3.5 靜電紡絲法
    1.4 氧化銦納米材料在氣體傳感器中的應(yīng)用
    1.5 氧化銦納米材料的氣敏性能改性
        1.5.1 形貌調(diào)控
        1.5.2 多組分復(fù)合改性
        1.5.3 元素?fù)诫s改性
        1.5.4 貴金屬負(fù)載改性
    1.6 單原子金屬催化劑的概述及其應(yīng)用
    1.7 本論文主要研究目的、意義及內(nèi)容
        1.7.1 本論文主要研究目的及意義
        1.7.2 本論文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 Au負(fù)載氧化銦納米材料的制備及其氣敏性能研究
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)試劑
        2.2.3 Au負(fù)載氧化銦納米材料的制備
        2.2.4 傳感器的制備及性能測(cè)試
        2.2.5 材料的表征方法
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 Au負(fù)載氧化銦納米材料的結(jié)構(gòu)和組成分析
        2.3.2 氣敏性能評(píng)價(jià)
        2.3.3 氣敏機(jī)理研究
    2.4 本章小結(jié)
第三章 Ni摻雜氧化銦納米材料的制備及其氣敏性能研究
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)試劑
        3.2.3 Ni摻雜氧化銦納米材料的制備
        3.2.4 氣體傳感器件的制備及性能測(cè)試
        3.2.5 材料的表征方法
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 Ni摻雜氧化銦納米材料的結(jié)構(gòu)和組成分析
        3.3.2 氣敏性能評(píng)價(jià)
        3.3.3 氣敏機(jī)理研究
    3.4 本章小結(jié)
第四章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝
研究成果及發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
作者和導(dǎo)師簡(jiǎn)介
附件



本文編號(hào)：3715662