在CZ法硅單晶生長(zhǎng)中,化料過(guò)程是原生硅固液形態(tài)轉(zhuǎn)換的主要過(guò)程,由于化料階段功率最高,也是最容易發(fā)生事故的過(guò)程,其中濺硅、漏硅等事故對(duì)石墨熱場(chǎng)、產(chǎn)品品質(zhì)、安全等方面有著較大的不良影響。 

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【部分圖文】：

單晶爐的溫度場(chǎng)模擬圖

A、B組堝位變化情況

C、D組堝轉(zhuǎn)開(kāi)啟情況

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]直拉法硅單晶生長(zhǎng)中斷棱與掉苞問(wèn)題的探討[J]. 董建明,張波,劉進(jìn),趙科巍,羅曉斌,趙彩霞.  材料導(dǎo)報(bào). 2013(S1)



本文編號(hào)：3700407