在科技高速發(fā)展的今天,能源的持續(xù)利用,成為當前世界各國都在努力攻關的重點。氫能作為無污染、高能量和存儲量巨大的可再生能源吸引著人們不斷探索獲取氫能的途徑。而電催化析氫反應制取氫氣是大量獲取清潔可再生能源的重要的途徑,研制低成本、高效新型的析氫催化劑是開發(fā)氫能源的關鍵。同時,隨著軍工和民用生產的產品種類和數量日益增多,產生的大量廢水、廢氣、廢渣亟需降解和清除。其中,具有高毒性的芳香族硝基爆炸物由于其高溶解度和穩(wěn)定性,難以被徹底降解。催化降解是廢物處理的有效途徑,為此充分利用太陽能,開發(fā)高效低成本、能循環(huán)利用的新型催化劑具有重要意義。本論文基于MoSe₂這一典型的過渡金屬硫族化合物為中心,通過對它的形貌、層數和結構進行調控生長,優(yōu)化了MoSe₂單層薄膜的電催化析氫性能,進行了MoSe₂微球結構光催化降解硝基爆炸物的研究。也為新型光、電催化劑的設計與制備提供了參考依據。主要包括以下幾個方面的內容:（1）用CVD法,通過改進生長溫度、時間,控制氣體流量等生長工藝,制備出高質量的單層和雙層MoSe₂薄膜。采用... 

【文章來源】：西南科技大學四川省

【文章頁數】：85 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

機械剝離獲得超薄MoS2納米片的SEM圖

影響溶劑熱生長法合成的主要因素有：合成溫度、反應時間和攪拌速度等。圖1-2 溶劑熱法制備超薄的MoS2納米片SEM、TEM、XRD圖Fig. 1-2 The images of SEM， TEM， XRD with the ultrathin MoS2synthsizedsolvothermal method中科大錢逸泰院士團隊在2001年用水熱反應法制備了超薄MoS2納米片[22，23]。他們以鉬酸鹽為鉬源，硫粉為硫源，水合肼為還原劑，在150-180℃下反應48 h，獲得了單層的MoS2，但所制備的產物呈碎布狀，形貌較差。印度Rao團隊[24，25]將1 mmol MO3與2.5 mmol KSCN分散到10 mL去離子水中

1.1.2.5 化學氣相沉積法化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition，CVD）是指將化學氣相沉積法作為傳統制備薄膜的技術，其原理是將先驅反應物氣化，以原子、分子的形式發(fā)生化學反應，反應形成的小晶核在載氣的輸運下，沉積在基底上，并逐漸長大形成薄膜。由于 CVD 法在反應過程中無雜質的引入，可獲得高質量、高結晶度和特定形貌的薄膜材料，廣泛用以制備 TMDs 納米材料[31]。Emilie Ringe 等[32]采用簡單的 CVD 法分別用三氧化鉬和硒粉為原料，Ar 和H2為混合氣體，制備了大面積的 MoSe2納米薄層，單個三角形橫向尺寸大于100 μm，厚度約為 0.8 nm，其 MoSe2單層膜，具有很好的結晶度且晶體質量好。采用電子束蒸發(fā)刻蝕技術（FBI）在 MoSe2薄膜表面刻蝕 Au 電極，測試電學特性，結果表明其為 n 型導電機制，計算出其電子遷移率約為 50 cm2/V·s（圖 1-3）。

【參考文獻】：
期刊論文
[1]六角星形MoSe2雙層納米片的制備及其光致發(fā)光性能[J]. 黃靜雯,羅利瓊,金波,楚士晉,彭汝芳.  物理學報. 2017(13)
[2]類石墨烯過渡金屬二硫化物的研究進展[J]. 劉洋洋,陳曉冬,王現英,鄭學軍,楊俊和.  材料導報. 2014(03)
[3]反射式高能電子衍射實時監(jiān)控的分子束外延生長GaAs晶體襯底溫度校準及表面相變的研究[J]. 周勛,楊再榮,羅子江,賀業(yè)全,何浩,韋俊,鄧朝勇,丁召.  物理學報. 2011(01)
[4]光催化與Fenton試劑對硝基苯酚降解的研究[J]. 黃衛(wèi)紅,楊丹,阮介兵,劉瑞,王晶博.  環(huán)境科學與技術. 2010(12)
[5]MoS2納米材料化學合成工藝流程的研究[J]. 徐志昌,張萍.  中國鉬業(yè). 2009(06)
[6]化學氣相沉積制備粉體材料的原理及研究進展[J]. 劉志宏,張淑英,劉智勇,李玉虎,王娟.  粉末冶金材料科學與工程. 2009(06)
[7]氧化鋅薄膜制備技術的評價[J]. 劉坤,季振國.  真空科學與技術. 2002(04)

碩士論文
[1]二維硫化鉬的化學氣相沉積法制備及其光電性能研究[D]. 曾甜.南京航空航天大學 2016



本文編號：3564638