隨著石墨烯需求量的不斷加大,掌握高效的石墨烯制備方法很有必要。石墨烯的制備方法分為Top-down和Bottom-up兩大類,但Top-down法制備石墨烯存在耗時長、產品尺寸小、難以大規(guī)模工業(yè)化應用等缺陷,迫切需要一種經濟有效的技術來合成高質量、大面積的石墨烯�；谶@一目的,文中就Bottom-up法制備石墨烯展開討論,介紹了外延生長法、化學氣相沉積法（CVD）法、等離子體增強化學氣相沉積合成（PECVD）法和溶劑熱法等技術,為石墨烯大規(guī)模應用鋪路。 

【文章來源】：陜西煤炭. 2020,39(S1)

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 外延生長法
    1.1 Si C為襯底的外延生長法
    1.2 金屬為襯底的外延生長法
2 化學氣相沉積(CVD)法
3 等離子體增強化學氣相沉積合成法
    3.1 等離子體的功效
    3.2 PECVD技術
4溶劑熱法
5 結語


【參考文獻】：
期刊論文
[1]Scalable and ultrafast epitaxial growth of single-crystal graphene wafers for electrically tunable liquid-crystal microlens arrays[J]. Bing Deng,Zhaowei Xin,Ruiwen Xue,Shishu Zhang,Xiaozhi Xu,Jing Gao,Jilin Tang,Yue Qi,Yani Wang,Yan Zhao,Luzhao Sun,Huihui Wang,Kaihui Liu,Mark H.Rummel,Lu-Tao Weng,Zhengtang Luo,Lianming Tong,Xinyu Zhang,Changsheng Xie,Zhongfan Liu,Hailin Peng.  Science Bulletin. 2019(10)
[2]石墨烯的等離子體增強化學氣相沉積法合成[J]. 姚涵,何葉麗,陳育明.  印染. 2018(05)



本文編號：3475685