用清潔的能源代替不可再生的化石能源是當今社會人們解決環(huán)境污染和能源危機問題的有效措施。與其它的太陽能燃料相比,氫能具有易于儲存、環(huán)境友好、含能量高等優(yōu)點�？蒲泄ぷ髡咧饕铝τ趯ふ腋咝А⒎�(wěn)定、價格低廉的光催化劑,以期實現(xiàn)光催化制氫的工業(yè)化應用。類石墨相氮化碳（g-C₃N₄）是一種二維非金屬半導體材料,具有合適的禁帶寬度、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和制備簡單等優(yōu)點。但是,g-C₃N₄的光催化活性仍然較低。科研工作者常采用金屬或非金屬元素摻雜、與其它半導體材料構(gòu)建異質(zhì)結(jié)、調(diào)控微觀納米結(jié)構(gòu)等手段對g-C₃N₄進行改性,提高g-C₃N₄對可見光的利用率、光生電子和光生空穴的分離效率以及擴大比表面積,以提高g-C₃N₄的光催化產(chǎn)氫活性。然而,以上改性手段通常需要加入貴金屬如鉑作助催化劑,降低析氫反應的過電勢,促進氫氣的逸出。因此,為了降低g-C₃N₄

【文章來源】：華南理工大學廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學位級別】：博士

【部分圖文】：

水和氫能相互轉(zhuǎn)換過程

圖 1-2 不同位置的太陽光譜圖Fig. 1-2 The solar radiation spectrum at different locati中，半導體材料在大于其禁帶寬度的能量激發(fā)下會帶上的光生電子在太陽光的作用下躍遷至半導體材上形成光生空穴。如圖 1-3 所示[2]，在光催化過程反應歷程：

圖 1-2 不同位置的太陽光譜圖Fig. 1-2 The solar radiation spectrum at different location反應中，半導體材料在大于其禁帶寬度的能量激發(fā)下會形價帶上的光生電子在太陽光的作用下躍遷至半導體材料帶上形成光生空穴。如圖 1-3 所示[2]，在光催化過程中，四種反應歷程：


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