相變磁性材料作為一種同時(shí)具備相變特性和稀磁半導(dǎo)體特性的新型功能材料,始終受到研究者們的廣泛關(guān)注。磁性離子摻雜的GeTe基材料就屬于相變磁性材料的一種,總結(jié)前人對(duì)它的研究成果我們發(fā)現(xiàn),無(wú)論是用何種磁性離子對(duì)GeTe進(jìn)行摻雜,所得的材料均為空穴導(dǎo)電而不是電子導(dǎo)電。為了擴(kuò)展GeTe基相變磁性材料的功能特性,制備出N型GeTe基的相變磁性材料顯得尤為重要。在本研究工作中,我們利用Bi元素部分替代Ge元素的方法成功制備出N型Ge_0.96-xBi_xFe_0.04Te薄膜,并對(duì)薄膜的電輸運(yùn)特性以及磁性機(jī)理進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。我們通過(guò)脈沖激光沉積的方法在單晶BaF₂襯底上外延生長(zhǎng)了Ge_0.8Bi_0.2Te、Ge_0.76Bi_0.2Fe_0.04Te、Ge_0.64.64 Bi_0.32Fe_0.04Te三種組分的薄膜。原子力顯微鏡測(cè)試結(jié)果顯示薄膜表面平整,... 

【文章來(lái)源】：南京航空航天大學(xué)江蘇省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：68 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
注釋表
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 相變存儲(chǔ)材料
        1.2.1 相變存儲(chǔ)技術(shù)
        1.2.2 相變存儲(chǔ)材料研究概況
    1.3 稀磁半導(dǎo)體材料
        1.3.1 稀磁半導(dǎo)體的基本概念及分類(lèi)
        1.3.2 稀磁半導(dǎo)體研究概況
        1.3.3 稀磁半導(dǎo)體鐵磁機(jī)制簡(jiǎn)介
    1.4 相變磁性材料
        1.4.1 相變磁性材料簡(jiǎn)介
        1.4.2 相變磁性材料研究仍存在的問(wèn)題
第二章 相變磁性材料Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te的制備技術(shù)與表征方法
    2.1 引言
    2.2 脈沖激光沉積(PLD)制備Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜
        2.2.1 脈沖激光沉積(PLD)概述
        2.2.2 PLD的基本原理
        2.2.3 影響PLD沉積的實(shí)驗(yàn)參數(shù)
        2.2.4 PLD制膜的優(yōu)點(diǎn)與不足
    2.3 Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的表征方法
        2.3.1 X射線衍射儀(X-ray diffraction,XRD)
        2.3.2 原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM)
        2.3.3 X射線光電子能譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)
        2.3.4 綜合物性測(cè)試系統(tǒng)(Physical Property Measurement System,PPMS)
        2.3.5 超導(dǎo)量子干涉儀(Superconducting Quantum Interference Devices,SQUID)
第三章 相變磁性材料Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te的制備及結(jié)構(gòu)研究
    3.1 引言
    3.2 外延Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的制備及結(jié)構(gòu)研究
        3.2.1 薄膜的PLD制備參數(shù)
        3.2.2 薄膜的XRD結(jié)果討論
    3.3 外延Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的表面形貌及厚度研究
    3.4 外延Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的電子結(jié)構(gòu)研究
    3.5 小結(jié)
第四章 相變磁性材料Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te的電輸運(yùn)及磁性研究
    4.1 引言
    4.2 Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的Hall效應(yīng)測(cè)試
    4.3 Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的變溫電阻及磁阻效應(yīng)研究
        4.3.1 薄膜的變溫電阻研究
        4.3.2 薄膜的磁阻效應(yīng)研究
    4.4 Ge_(0.96-x)Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的磁性行為研究
        4.4.1 薄膜磁性測(cè)試結(jié)果分析
        4.4.2 薄膜磁性機(jī)制的第一性原理計(jì)算研究
    4.5 小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 研究?jī)?nèi)容總結(jié)
    5.2 對(duì)進(jìn)一步研究的展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在學(xué)期間的研究成果及發(fā)表的學(xué)術(shù)論文


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]脈沖激光沉積薄膜技術(shù)研究新進(jìn)展[J]. 敖育紅,胡少六,龍華,徐業(yè)斌,王又青.  激光技術(shù). 2003(05)
[2]利用XPS及電化學(xué)方法研究電鍍Cr添加劑的作用機(jī)理[J]. 關(guān)山,張琦,胡如南.  金屬學(xué)報(bào). 2000(11)
[3]超導(dǎo)量子磁強(qiáng)計(jì)[J]. 辛慶章.  低溫與超導(dǎo). 1974(01)



本文編號(hào)：3431207