Ti/Si/TiC體系反應(yīng)合成Ti 3 SiC 2 的影響
發(fā)布時(shí)間:2021-08-17 13:58
將原料Ti/Si/Ti C粉體進(jìn)行高溫?zé)崽幚?制備了高含量Ti3SiC2材料。研究了原料粉體不同粒度和配比對(duì)合成Ti3SiC2材料的影響。研究表明:原料經(jīng)高溫?zé)崽幚砗罂傻玫絋iC、Ti3SiC2和TiSi2;配比為Ti/Si/1.7TiC的試樣中Ti3SiC2含量約為82%,為各試樣中最高;Ti3SiC2晶粒發(fā)育成比較良好的板條狀晶粒,晶粒長約10μm,寬約2μm。
【文章來源】:中國陶瓷. 2016,52(08)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
原料為Ti/Si/2TiC(30μm)的熱處理產(chǎn)物的XRD圖
中國陶瓷2016年第8期40│中國陶瓷│CHINACERAMICS│2016(52)第8期并充滿氬氣保護(hù)反應(yīng)體系,在行星式球磨機(jī)上進(jìn)行混料,設(shè)定轉(zhuǎn)速為150r/min。熱處理實(shí)驗(yàn)在高溫管式爐中進(jìn)行,熱處理溫度為1450℃,保溫時(shí)間為1h。用D/MAX2500PC轉(zhuǎn)靶X射線多晶衍射儀對(duì)合成的粉末材料進(jìn)行物相分析(采用Cukα輻射)。用場發(fā)射掃描電子顯微鏡結(jié)合能譜儀研究和分析材料的顯微結(jié)構(gòu)和微區(qū)成分。方法一:當(dāng)物相中有TiC和Ti3SiC2兩相時(shí),采用文獻(xiàn)[12]提出的公式(1):圖2為Ti/Si/2TiC(30μm)的熱處理產(chǎn)物試樣的微觀形貌圖。由圖2(a)可見,試樣由大量細(xì)小的晶粒組成,粒度約為10μm。由圖2(b)并結(jié)合能譜可知,晶粒主要是由于層狀Ti3SiC2晶粒構(gòu)成。ωTSCTCTSCII=+195195..其中ITC和ITSC分別為TiC(111)和Ti3SiC2(104)峰的積分強(qiáng)度。方法二:當(dāng)產(chǎn)物由TiC、TiSi2和Ti3SiC2三相組成時(shí),由下式來估計(jì)各物相的相對(duì)含量。(1)(2)FIIIITSCTSCTSCTCTS=++2FIIIITiCTCTSCTCTS=++2FIIIITSTSTSCTCTS222=++其中ITC、ITSc和ITS2分別為TiC(111)、Ti3SiC2(104)和TiSi2(311)峰的積分強(qiáng)度。2結(jié)果和討論圖1為原料中TiC的粒度為30μm經(jīng)熱處理后得到的XRD圖。從圖1可見,熱處理后得到了TiC、Ti3SiC2和TiSi2,同時(shí)含微量Si。產(chǎn)物中Ti3SiC2含量可根據(jù)公式(1)進(jìn)行粗略計(jì)算,值約為64%?紤]到有微量的TiSi2和Si等雜相,產(chǎn)物中Ti3SiC2含量應(yīng)該比計(jì)算值低些。圖1原料為Ti/Si/2TiC(30μm)的熱處理產(chǎn)物的XRD圖Fig.1XRDpatternoftheproductpreparedfromTi/Si/2TiC(30μm)圖2原料為Ti/Si/
2016年第8期中國陶瓷中國陶瓷│CHINACERAMICS│2016(52)第8期│41明TiC的含量對(duì)合成Ti3SiC2也有明顯的影響,適當(dāng)?shù)販p少TiC含量,會(huì)顯著促進(jìn)Ti3SiC2的合成。圖4為采用方法二估算的各試樣的含量示意圖。樣品1#、2#、3#和4#分別代表Ti/Si/2TiC(30μm)、Ti/Si/2TiC(2μm)、Ti/Si/1.7TiC(2μm)和Ti/Si/1.5TiC(2μm)。從圖4可知,試樣3的Ti3SiC2含量是各試樣中最高的。根據(jù)方法一,可確定該產(chǎn)物中Ti3SiC2含量約為82%。這一結(jié)果與以上的XRD分析結(jié)果相吻合。圖3原料為Ti/Si/TiC(2μm)的熱處理產(chǎn)物的XRD圖Fig.3XRDpatternsoftheproductpreparedfromTi/Si/TiC(2μm)圖4各試樣中Ti3SiC2含量示意圖Fig.4Ti3SiC2contentofeachsample圖5為Ti/Si/1.7TiC(2μm)粉體熱處理后得到的試樣的斷口形貌圖。如圖5所示,晶粒較為細(xì)小,同圖2的結(jié)果相同。但是從圖6可見,Ti3SiC2晶粒發(fā)育成板條狀晶粒,發(fā)育的比較良好,晶粒長約10μm,寬約2μm。圖5原料為Ti/Si/1.7TiC(2μm)的熱處理產(chǎn)物的形貌圖Fig.5MorphologyoftheproductpreparedfromTi/Si/1.7TiC(2μm)圖6圖2(b)中的組織的能譜數(shù)據(jù)Fig.6EDSpatternoftheorganizationsubstanceintheFig.2(b)由研究結(jié)果和先前的研究報(bào)道,提出Ti/Si/TiC體系合成Ti3SiC2的反應(yīng)機(jī)理如下:當(dāng)溫度升高至Si的熔點(diǎn)后,Ti和Si間能形成Ti-Si共晶液相,其包裹住TiC,然后以TiC為Ti3SiC2的形核中心逐漸生長,發(fā)育成良好的板條狀晶粒。通過以上分析,原料中TiC的粒度與含量對(duì)合成Ti3SiC2有明顯的影響。降低TiC的粒度可以促進(jìn)Ti3SiC2的合成,這可以從反應(yīng)動(dòng)力學(xué)角度解釋,粒度越細(xì)小,越有利于元素間的擴(kuò)散與反應(yīng),從?
本文編號(hào):3347894
【文章來源】:中國陶瓷. 2016,52(08)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
原料為Ti/Si/2TiC(30μm)的熱處理產(chǎn)物的XRD圖
中國陶瓷2016年第8期40│中國陶瓷│CHINACERAMICS│2016(52)第8期并充滿氬氣保護(hù)反應(yīng)體系,在行星式球磨機(jī)上進(jìn)行混料,設(shè)定轉(zhuǎn)速為150r/min。熱處理實(shí)驗(yàn)在高溫管式爐中進(jìn)行,熱處理溫度為1450℃,保溫時(shí)間為1h。用D/MAX2500PC轉(zhuǎn)靶X射線多晶衍射儀對(duì)合成的粉末材料進(jìn)行物相分析(采用Cukα輻射)。用場發(fā)射掃描電子顯微鏡結(jié)合能譜儀研究和分析材料的顯微結(jié)構(gòu)和微區(qū)成分。方法一:當(dāng)物相中有TiC和Ti3SiC2兩相時(shí),采用文獻(xiàn)[12]提出的公式(1):圖2為Ti/Si/2TiC(30μm)的熱處理產(chǎn)物試樣的微觀形貌圖。由圖2(a)可見,試樣由大量細(xì)小的晶粒組成,粒度約為10μm。由圖2(b)并結(jié)合能譜可知,晶粒主要是由于層狀Ti3SiC2晶粒構(gòu)成。ωTSCTCTSCII=+195195..其中ITC和ITSC分別為TiC(111)和Ti3SiC2(104)峰的積分強(qiáng)度。方法二:當(dāng)產(chǎn)物由TiC、TiSi2和Ti3SiC2三相組成時(shí),由下式來估計(jì)各物相的相對(duì)含量。(1)(2)FIIIITSCTSCTSCTCTS=++2FIIIITiCTCTSCTCTS=++2FIIIITSTSTSCTCTS222=++其中ITC、ITSc和ITS2分別為TiC(111)、Ti3SiC2(104)和TiSi2(311)峰的積分強(qiáng)度。2結(jié)果和討論圖1為原料中TiC的粒度為30μm經(jīng)熱處理后得到的XRD圖。從圖1可見,熱處理后得到了TiC、Ti3SiC2和TiSi2,同時(shí)含微量Si。產(chǎn)物中Ti3SiC2含量可根據(jù)公式(1)進(jìn)行粗略計(jì)算,值約為64%?紤]到有微量的TiSi2和Si等雜相,產(chǎn)物中Ti3SiC2含量應(yīng)該比計(jì)算值低些。圖1原料為Ti/Si/2TiC(30μm)的熱處理產(chǎn)物的XRD圖Fig.1XRDpatternoftheproductpreparedfromTi/Si/2TiC(30μm)圖2原料為Ti/Si/
2016年第8期中國陶瓷中國陶瓷│CHINACERAMICS│2016(52)第8期│41明TiC的含量對(duì)合成Ti3SiC2也有明顯的影響,適當(dāng)?shù)販p少TiC含量,會(huì)顯著促進(jìn)Ti3SiC2的合成。圖4為采用方法二估算的各試樣的含量示意圖。樣品1#、2#、3#和4#分別代表Ti/Si/2TiC(30μm)、Ti/Si/2TiC(2μm)、Ti/Si/1.7TiC(2μm)和Ti/Si/1.5TiC(2μm)。從圖4可知,試樣3的Ti3SiC2含量是各試樣中最高的。根據(jù)方法一,可確定該產(chǎn)物中Ti3SiC2含量約為82%。這一結(jié)果與以上的XRD分析結(jié)果相吻合。圖3原料為Ti/Si/TiC(2μm)的熱處理產(chǎn)物的XRD圖Fig.3XRDpatternsoftheproductpreparedfromTi/Si/TiC(2μm)圖4各試樣中Ti3SiC2含量示意圖Fig.4Ti3SiC2contentofeachsample圖5為Ti/Si/1.7TiC(2μm)粉體熱處理后得到的試樣的斷口形貌圖。如圖5所示,晶粒較為細(xì)小,同圖2的結(jié)果相同。但是從圖6可見,Ti3SiC2晶粒發(fā)育成板條狀晶粒,發(fā)育的比較良好,晶粒長約10μm,寬約2μm。圖5原料為Ti/Si/1.7TiC(2μm)的熱處理產(chǎn)物的形貌圖Fig.5MorphologyoftheproductpreparedfromTi/Si/1.7TiC(2μm)圖6圖2(b)中的組織的能譜數(shù)據(jù)Fig.6EDSpatternoftheorganizationsubstanceintheFig.2(b)由研究結(jié)果和先前的研究報(bào)道,提出Ti/Si/TiC體系合成Ti3SiC2的反應(yīng)機(jī)理如下:當(dāng)溫度升高至Si的熔點(diǎn)后,Ti和Si間能形成Ti-Si共晶液相,其包裹住TiC,然后以TiC為Ti3SiC2的形核中心逐漸生長,發(fā)育成良好的板條狀晶粒。通過以上分析,原料中TiC的粒度與含量對(duì)合成Ti3SiC2有明顯的影響。降低TiC的粒度可以促進(jìn)Ti3SiC2的合成,這可以從反應(yīng)動(dòng)力學(xué)角度解釋,粒度越細(xì)小,越有利于元素間的擴(kuò)散與反應(yīng),從?
本文編號(hào):3347894
本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/huaxuehuagong/3347894.html
最近更新
教材專著