鈮酸銀基無鉛反鐵電體陶瓷的制備和儲(chǔ)能特性的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-11 09:14
近年來,鈮酸銀無鉛反鐵電體陶瓷由于其具有優(yōu)異的儲(chǔ)能特性和環(huán)境友好的特點(diǎn)引起了人們的研究興趣。但純鈮酸銀陶瓷儲(chǔ)能特性還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到商用要求,所以提高鈮酸銀陶瓷的儲(chǔ)能特性尤為重要。因此,本文通過對(duì)鈮酸銀基陶瓷材料進(jìn)行A位摻雜和改變成型方法,對(duì)其儲(chǔ)能特性進(jìn)行了研究。具體研究內(nèi)容及結(jié)果如下:首先,通過傳統(tǒng)固相反應(yīng)法制備了Ca2+摻雜鈮酸銀(CANx)塊體陶瓷并研究其儲(chǔ)能特性。實(shí)驗(yàn)通過摻雜不同量的Ca2+的CANx塊體陶瓷(x=0.00、0.02、0.03、0.04),并通過兩步法燒結(jié)得到了致密的CANx陶瓷。結(jié)果表明,隨著Ca2+摻雜量的增加,△E逐漸減小從而造成電滯回線“變細(xì)”,儲(chǔ)能效率增加。其中組分CAN2在室溫下,塊體陶瓷樣品具有儲(chǔ)能密度為1.30 J/cm3和儲(chǔ)能效率為86.7%的儲(chǔ)能特性。其次,采用固相反應(yīng)法制備了鈮酸銀(AN)陶瓷粉體,通過流延成型工藝制備了鈮酸銀厚膜陶瓷。結(jié)果表明,固相為45 wt%、分散劑為0.4 wt%、粘結(jié)劑為4.0 wt%、增塑劑:粘結(jié)劑為0.5時(shí)制備出的流延漿料流變性能...
【文章來源】:廣東工業(yè)大學(xué)廣東省
【文章頁數(shù)】:79 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不同儲(chǔ)能器件的Ragone圖[2]
廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文21.2電容器儲(chǔ)能原理典型的電介質(zhì)電容器由中間夾著電介質(zhì)材料的兩個(gè)極板組成的器件,如圖1-2所示。電容器的儲(chǔ)能能力由電容C值表示,可通過以下式子計(jì)算得知[17,18]:=0其中C是電容,0是真空介電常數(shù),r是相對(duì)介電常數(shù)(介電常數(shù)),A是電極重疊面積,d是兩個(gè)電極板之間的距離。在充電過程中,兩極板之間被施加電場,介電材料內(nèi)部偶極子將沿著施加電場方向排列,從而在兩極板上開始累積電荷。當(dāng)累積電荷產(chǎn)生的電勢(shì)差等于外部靜電場電壓時(shí),靜電場能量將儲(chǔ)存在電容器中。圖1-2電介質(zhì)電容器充電過程中電介質(zhì)極化圖[2]。Fig.2Thediagramofdielectricpolarizationduringthechargingprocess.電介質(zhì)材料的儲(chǔ)能密度W定義為每單位體積的電介質(zhì)所儲(chǔ)存的能量:==∫0=∫0=∫0其中E=V/d,為外加電場;為電極板表面電荷密度;D為電位移(根據(jù)麥克斯韋公式,D=)[17-20]。當(dāng)電介質(zhì)材料為反鐵電材料時(shí),儲(chǔ)能密度W表示為[17]:=∫0其中Pmax為飽和極化強(qiáng)度,P為極化強(qiáng)度。一般情況下,反鐵電材料剩余極化強(qiáng)度Pr不為零,因此,反鐵電材料儲(chǔ)能密度Wrec公式及儲(chǔ)能效率η為:=∫
第一章緒論3=+如圖1-3所示,為各種電介質(zhì)材料電滯回線圖。圖中深色部分為儲(chǔ)能密度Wrec,淺色部分為損耗的儲(chǔ)能密度Wloss。圖1-3典型雙電滯回線的反鐵電材料圖[2]。Fig.1-3TypicaldoubleP-Ehysteresisloopofantiferroelectricmaterials.1.3儲(chǔ)能電介質(zhì)材料電介質(zhì)電容器儲(chǔ)能性能關(guān)鍵取決于電介質(zhì)材料。根據(jù)以上儲(chǔ)能原理可將電介質(zhì)材料大致分為線性電介質(zhì)材料(如玻璃、Al2O3)、鐵電材料(如鈦酸鋇、鈦酸鉛)、馳豫型鐵電體(如鈮鎂酸鉛)和反鐵電體(如鋯酸鉛、鈮酸銀)[21]。四種電介質(zhì)材料如圖1-4所示。由圖可得,與線性電介質(zhì)材料、鐵電材料和弛豫型鐵電體材料相比,反鐵電體具有高電場擊穿強(qiáng)度、大的飽和極化強(qiáng)度和小的剩余極化、較細(xì)的雙電滯回線,因此反鐵電體具有高的儲(chǔ)能密度和儲(chǔ)能效率。盡管線性電介質(zhì)材料與反鐵電體相比有更高的擊穿電場強(qiáng)度、更低的能量損耗,但它們飽和極化強(qiáng)度很小,這也阻止它被應(yīng)用于高儲(chǔ)能器件[18]。因此,目前研究主要集中于非線性無鉛電介質(zhì)材料所組成的儲(chǔ)能器件,如塊體陶瓷、薄膜及厚膜陶瓷和聚合物基納米復(fù)合材料。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高能球磨法對(duì)NaNbO3陶瓷致密化及電性能影響[J]. 朝魯門,侯育冬,鄭木鵬,朱滿康. 陶瓷學(xué)報(bào). 2017(04)
[2]鐵電材料中的大電卡效應(yīng)[J]. 魯圣國,唐新桂,伍尚華,ZHANG Qi-Ming. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2014(01)
[3]制備電子陶瓷基片用的流延成型工藝[J]. 周建民,王亞東,王雙喜,黃國權(quán). 硅酸鹽通報(bào). 2010(05)
[4]流延法制備陶瓷薄片的研究進(jìn)展[J]. 李冬云,喬冠軍,金志浩. 硅酸鹽通報(bào). 2004(02)
[5]工藝條件對(duì)薄片陶瓷材料凝膠流延成型的影響[J]. 向軍輝,黃勇,謝志鵬,楊金龍,馬春雷. 高技術(shù)通訊. 2002(02)
本文編號(hào):3335900
【文章來源】:廣東工業(yè)大學(xué)廣東省
【文章頁數(shù)】:79 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不同儲(chǔ)能器件的Ragone圖[2]
廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文21.2電容器儲(chǔ)能原理典型的電介質(zhì)電容器由中間夾著電介質(zhì)材料的兩個(gè)極板組成的器件,如圖1-2所示。電容器的儲(chǔ)能能力由電容C值表示,可通過以下式子計(jì)算得知[17,18]:=0其中C是電容,0是真空介電常數(shù),r是相對(duì)介電常數(shù)(介電常數(shù)),A是電極重疊面積,d是兩個(gè)電極板之間的距離。在充電過程中,兩極板之間被施加電場,介電材料內(nèi)部偶極子將沿著施加電場方向排列,從而在兩極板上開始累積電荷。當(dāng)累積電荷產(chǎn)生的電勢(shì)差等于外部靜電場電壓時(shí),靜電場能量將儲(chǔ)存在電容器中。圖1-2電介質(zhì)電容器充電過程中電介質(zhì)極化圖[2]。Fig.2Thediagramofdielectricpolarizationduringthechargingprocess.電介質(zhì)材料的儲(chǔ)能密度W定義為每單位體積的電介質(zhì)所儲(chǔ)存的能量:==∫0=∫0=∫0其中E=V/d,為外加電場;為電極板表面電荷密度;D為電位移(根據(jù)麥克斯韋公式,D=)[17-20]。當(dāng)電介質(zhì)材料為反鐵電材料時(shí),儲(chǔ)能密度W表示為[17]:=∫0其中Pmax為飽和極化強(qiáng)度,P為極化強(qiáng)度。一般情況下,反鐵電材料剩余極化強(qiáng)度Pr不為零,因此,反鐵電材料儲(chǔ)能密度Wrec公式及儲(chǔ)能效率η為:=∫
第一章緒論3=+如圖1-3所示,為各種電介質(zhì)材料電滯回線圖。圖中深色部分為儲(chǔ)能密度Wrec,淺色部分為損耗的儲(chǔ)能密度Wloss。圖1-3典型雙電滯回線的反鐵電材料圖[2]。Fig.1-3TypicaldoubleP-Ehysteresisloopofantiferroelectricmaterials.1.3儲(chǔ)能電介質(zhì)材料電介質(zhì)電容器儲(chǔ)能性能關(guān)鍵取決于電介質(zhì)材料。根據(jù)以上儲(chǔ)能原理可將電介質(zhì)材料大致分為線性電介質(zhì)材料(如玻璃、Al2O3)、鐵電材料(如鈦酸鋇、鈦酸鉛)、馳豫型鐵電體(如鈮鎂酸鉛)和反鐵電體(如鋯酸鉛、鈮酸銀)[21]。四種電介質(zhì)材料如圖1-4所示。由圖可得,與線性電介質(zhì)材料、鐵電材料和弛豫型鐵電體材料相比,反鐵電體具有高電場擊穿強(qiáng)度、大的飽和極化強(qiáng)度和小的剩余極化、較細(xì)的雙電滯回線,因此反鐵電體具有高的儲(chǔ)能密度和儲(chǔ)能效率。盡管線性電介質(zhì)材料與反鐵電體相比有更高的擊穿電場強(qiáng)度、更低的能量損耗,但它們飽和極化強(qiáng)度很小,這也阻止它被應(yīng)用于高儲(chǔ)能器件[18]。因此,目前研究主要集中于非線性無鉛電介質(zhì)材料所組成的儲(chǔ)能器件,如塊體陶瓷、薄膜及厚膜陶瓷和聚合物基納米復(fù)合材料。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高能球磨法對(duì)NaNbO3陶瓷致密化及電性能影響[J]. 朝魯門,侯育冬,鄭木鵬,朱滿康. 陶瓷學(xué)報(bào). 2017(04)
[2]鐵電材料中的大電卡效應(yīng)[J]. 魯圣國,唐新桂,伍尚華,ZHANG Qi-Ming. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2014(01)
[3]制備電子陶瓷基片用的流延成型工藝[J]. 周建民,王亞東,王雙喜,黃國權(quán). 硅酸鹽通報(bào). 2010(05)
[4]流延法制備陶瓷薄片的研究進(jìn)展[J]. 李冬云,喬冠軍,金志浩. 硅酸鹽通報(bào). 2004(02)
[5]工藝條件對(duì)薄片陶瓷材料凝膠流延成型的影響[J]. 向軍輝,黃勇,謝志鵬,楊金龍,馬春雷. 高技術(shù)通訊. 2002(02)
本文編號(hào):3335900
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