黑硅材料的制備及其電池性能的研究
發(fā)布時間:2021-07-27 12:48
通過對硅片表面織構化處理方法的研究比較,發(fā)現具有織狀結構的黑硅,在很寬的波長范圍內,對入射太陽光都有很高的吸收率和很低的反射率。這減少了太陽光與硅片存在的光譜不匹配對電池效率提高的影響,這個技術在提高太陽能電池效率方面有極大的應用。本課題采用金屬輔助化學腐蝕法,研究了不同腐蝕條件、不同工藝下,黑硅的微觀結構變化及其對太陽光反射率的影響。對腐蝕原理進行分析并對腐蝕過后的硅片進行反射率、表面斷面形貌進行表征,結果表明,采用硝酸銀作為活性位點,雙氧水為氧化劑,氟化氫為腐蝕劑,在超聲輔助的作用下,對P型多晶硅進行腐蝕,最終得到黑硅。通過對不同工藝(硅片切割方式、是否超聲、腐蝕時間)條件下,黑硅的表面形貌進行SEM表征,并研究織狀結構對黑硅反射率的影響,我們發(fā)現,用金剛線切割的硅片在超聲條件下腐蝕60 S時,硅片表面織狀結構長度約為1μm,此時在300 nm-1100 nm的波長范圍內,黑硅的反射率最低值為2.6%,都優(yōu)于其他工藝條件下的對應值。出現這種情況的主要原因是,銀粒子作為活性位點,加快硅片縱向腐蝕速率,此時在硅片表面生成的陷光結構最有利于入射太陽光在硅片表面的二次反射,這大大降低了硅片...
【文章來源】:上海師范大學上海市
【文章頁數】:62 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
晶硅太陽能電池的應用
制備的晶硅電池的最高光電轉換效率也已達到 18 %。由于其較高的的時間內,硅太陽能電池將依然是類轉化為電能的器件,經過多年的發(fā)同可分為:化合物太陽電池、有機又分為硅薄膜電池和晶體硅電池,廣泛應用的原因。中,所用的化合物半導體,其能隙實現基底與太陽光譜之間的良好匹得高光電轉換效率。在已經可以實aInAs/Ge 三結太陽能電池的光電使得化合物電池的廣泛使用便受到
第 1 章 緒論 上海師范大學碩士學位論文有機太陽能電池,它是一類新型的太陽能電池,與化合物電池、普通硅太陽電池相比,使用更輕薄靈活,而且成本低廉,且應用廣泛,下圖為其效率示意圖:但是目前,對于有機電池的器件,其光電轉換效率不高,使用壽命偏短,其效率的進一步提高,尚處于實驗室的研發(fā)及攻關階段,還不能達到市場化要求的條件[30]。
本文編號:3305813
【文章來源】:上海師范大學上海市
【文章頁數】:62 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
晶硅太陽能電池的應用
制備的晶硅電池的最高光電轉換效率也已達到 18 %。由于其較高的的時間內,硅太陽能電池將依然是類轉化為電能的器件,經過多年的發(fā)同可分為:化合物太陽電池、有機又分為硅薄膜電池和晶體硅電池,廣泛應用的原因。中,所用的化合物半導體,其能隙實現基底與太陽光譜之間的良好匹得高光電轉換效率。在已經可以實aInAs/Ge 三結太陽能電池的光電使得化合物電池的廣泛使用便受到
第 1 章 緒論 上海師范大學碩士學位論文有機太陽能電池,它是一類新型的太陽能電池,與化合物電池、普通硅太陽電池相比,使用更輕薄靈活,而且成本低廉,且應用廣泛,下圖為其效率示意圖:但是目前,對于有機電池的器件,其光電轉換效率不高,使用壽命偏短,其效率的進一步提高,尚處于實驗室的研發(fā)及攻關階段,還不能達到市場化要求的條件[30]。
本文編號:3305813
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