針對單晶硅片在制絨后出現的白斑及臟污現象,通過對異常硅片進行絨面測試、厚度測試和產線對比實驗,排查異�，F象產生的原因,并結合顯微紅外測試和X射線能譜分析（EDS）測試對產生異常的原因進行深入分析。分析結果表明:硅片制絨后出現白斑現象主要是硅片生產環(huán)節(jié)造成的。進刀面出現異常,一方面是由于硅片清洗液殘留所致,另一方面是由于粘棒膠通過金剛線帶入硅片表面后,后道工序難以清洗造成的。M2異常硅片進刀面有大片灰白狀是有機硅類物質附著、粘膠導致的;M2和157.4 mm異常硅片其他異常區(qū)域有小片亮白、灰白狀,主要是清洗劑中的磷酸鹽、硅酸鹽殘留。 

【文章來源】：太陽能. 2020,(05)

【文章頁數】：7 頁

【部分圖文】：

157.4 mm異常硅片絨面測試結果

157.4 mm異常硅片絨面測試結果

從單晶硅片的絨面數據來看，幾類異常硅片未形成“金字塔”狀絨面，異常區(qū)域未發(fā)生腐蝕，或單晶各項異性腐蝕效果未體現。如果是未發(fā)生腐蝕，推測其表面存在不易被酸堿清洗腐蝕的物質；如果是發(fā)生了腐蝕但未形成“金字塔”狀絨面，則推測是硅片晶向異�；蛑平q溶液異常[4]。2種單晶硅片的異常硅片絨面測試結果如圖1、圖2所示，結果證實，硅片外觀存在異常。圖2 157.4 mm異常硅片絨面測試結果

【參考文獻】：
期刊論文
[1]晶硅太陽電池黑斑分析[J]. 陳曉玉,劉彤,劉京明,謝輝,趙有文,董志遠,馬承紅,和江變.  半導體光電. 2017(01)



本文編號：3302279