從2000年之后,一種新型高介電的鈦酸銅鈣(CaCu₃Ti₄O₁₂,CCTO)材料受到了國內外學者的廣泛關注。這種材料的介電常數(shù)不僅高達10⁴,而且能在較寬的頻率（20-10⁵ Hz）和溫度（30-180^℃）范圍內保持穩(wěn)定的狀態(tài)。因為CCTO具有良好的介電性能,使得其能在超級電容器、新能源汽車能源存儲等應用方面發(fā)揮重要的作用,這吸引了大量學者對其進行研究。鈦酸銅鈣陶瓷的介電性能在不同的頻率下表現(xiàn)不同,在低頻范圍內（<10³ Hz）,介電常數(shù)高,介電損耗低,在較高的頻率狀態(tài)下（>10⁵ Hz）,介電常數(shù)迅速降低,介電損耗急劇升高。對此,引入IBLC模型解釋這種現(xiàn)象。該模型認為陶瓷內部存在半導體晶粒和絕緣的晶界。本文以NaCl作為熔鹽,在800^℃下燒結2小時,即可制備純相鈦酸銅鈣。為探究CCTO陶瓷介電性能變化的機理,在一定程度上提高介電常數(shù)并降低介電損耗,分別采用Fe、Mg元素進行... 

【文章來源】：深圳大學廣東省

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

(a)陶瓷立方體示意圖，灰色立方體為半導體晶粒，無色區(qū)域為絕緣晶界[21]

CCTO氣體傳感器示意圖

Fig.1-3 Flow chart for the fabrication of CCTO films下：應：M(OR)n+ xH2O → M (OH)x(OR)n-x+ xROH應：-M-OH + HO-M- → -M-O-M-+H2O-M-OR + HO-M- → -M-O-M-+ROH固相燒結法和溶膠-凝膠法之外，還有濕化學法，燃燒合成表 1-1 所示：

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3285973