從硅晶體變形的力學(xué)基礎(chǔ)、晶體變形力學(xué)模型、力能流的粉碎效能、硅晶體粉碎過程4方面深入闡述了沖旋對(duì)撞粉碎技術(shù)的微觀理論基礎(chǔ)。 

【文章來源】：有機(jī)硅材料. 2020,34(02)

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

原子結(jié)合力、勢(shì)能與間距的關(guān)系

為更深入掌握物料粉碎微觀理論，下文介紹了原子在受拉、劈、切等外力作用時(shí)的原子鍵變形狀況。圖2為原子在拉伸作用下力和能的變化。原子鍵長度為a0時(shí)，勢(shì)能和動(dòng)能均最低。在拉伸作用下，a逐漸增大，直至am時(shí)原子間結(jié)合力最大，伴隨著拉力(Fb)進(jìn)一步增大，原子鍵斷裂，外加拉伸能量Pb為原子結(jié)合勢(shì)能所吸收，以此提高本身勢(shì)能和動(dòng)能，原子的晶格振動(dòng)增大，穩(wěn)定性降低，原子活性增強(qiáng)。

擠壓外力多點(diǎn)施加于晶粒上，首先引起受壓(迫擊)面層原子晶格受壓，原子鍵縮短，斥力增大，迫使附近晶格傳遞外力，引起原子外移(見圖3)，拉伸原子鍵至斷裂，晶體出現(xiàn)裂紋和裂縫，并逐漸碎裂。這與硅抗壓試驗(yàn)中，晶體在受力時(shí)的宏觀表現(xiàn)一致:先外層開裂，裂縫直下，繼而斜向(約45°)伸展、碎裂[6]。圖4的抗壓強(qiáng)度曲線演示了脆性物料(如工業(yè)硅)拍擊粉碎時(shí)的應(yīng)力應(yīng)變過程。受力初期，應(yīng)力近直線增長，此時(shí)晶體壓縮、原子鍵變短、斥力增大;待原子鍵不能再壓縮傳力時(shí)，抗力不增，開始向周邊晶格傳力，出現(xiàn)小的變形，顯示出短暫的混沌臨界順?biāo)槎�，緊接著引起周邊晶格原子鍵拉長，抗力增大，鍵受損并出現(xiàn)裂紋，轉(zhuǎn)向45°傾斜開裂，鍵斷裂，碎裂程度大、面積廣，得到細(xì)碎硅粉粒。2.2 劈擊碎裂

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]硅粉品質(zhì)優(yōu)化技術(shù)[J]. 常森,余敏.  有機(jī)硅材料. 2019(03)
[2]硅粉反應(yīng)活性與對(duì)撞粉碎效用[J]. 常森,周功均,余敏.  有機(jī)硅材料. 2017(01)



本文編號(hào)：3285790