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硫?qū)俣S層狀材料的制備及其在光催化分解水中的應(yīng)用

發(fā)布時間:2021-07-08 19:54
  利用太陽光將水催化分解產(chǎn)生氫氣是一項有前景的研究。與氧化物相比,硫化物的帶隙普遍較小,有利于可見光的吸收;一些硫化物具有層狀結(jié)構(gòu),可以形成二維甚至原子級薄層,產(chǎn)生尺寸效應(yīng),從而增大比表面積,暴露大量邊緣,增強載流子分離效率,這使其有望成為優(yōu)良的光催化析氫材料。本文研究了多種硫?qū)俣S層狀材料的制備,并通過結(jié)構(gòu)設(shè)計和能帶調(diào)控來改善其光催化分解水析氫性能,主要內(nèi)容如下:(1)SnS2納米片體系:以溶劑熱法合成超薄SnS2納米片;以葡萄糖裂解法在納米片上負載C量子點,從而將催化析氧性能提升了 10倍;以水熱法在納米片上依次合成Ce2S3納米帶和CeO2納米顆粒,形成三層異質(zhì)結(jié),該結(jié)構(gòu)展現(xiàn)了優(yōu)異的從深紫外到紅外光的全光譜吸收和穩(wěn)定的催化析氫性能。(2)WS2納米管體系:以化學(xué)氣相沉積法合成WO3納米線,對其高溫硫化得到WS2納米管;在納米管表面負載Au納米粒子,以脈沖電流法在Au上沉積CuInS2納米殼層。利用夾層中Au納米粒子的局域表面等離激元共振效應(yīng),提高了 WS2與CuInS2之間的直接電子傳輸(Z型)效率,從而將體系的光催化析氫性能提升了 2倍以上。(3)MPS3體系:以溶劑熱法合成Fe... 

【文章來源】:北京科技大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:131 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

硫?qū)俣S層狀材料的制備及其在光催化分解水中的應(yīng)用


圖1-1太陽能分解水制氫系統(tǒng)的能量流動和物質(zhì)循環(huán)??

示意圖,示意圖,電子,能級


?硫?qū)俣S層狀材料的制備及其在光催化分解水中的應(yīng)用???電位,都可以將水分解,產(chǎn)生氫氣和氧氣。電催化分解水的關(guān)鍵是電極材料??對7T的吸附和脫附能力(表現(xiàn)為吸附自由能),以及電極材料的穩(wěn)定性|2]。??電分解水的成功,為水的光電催化分解提供了理論基礎(chǔ)之一。??XTl??圖1-2水的電分解示意圖??1.1.2光化學(xué)分解??水的電分解原理表明,氫氣能從水中產(chǎn)生的關(guān)鍵是水中的iT得到電子形??成//原子,然后兩個//原子結(jié)合,產(chǎn)生分子。依據(jù)系統(tǒng)能量總向低處流??動的規(guī)則,//原子的形成需要這樣的條件,即反應(yīng)前電子與/T能量之和高??于反應(yīng)后得到的//原子能量;而根據(jù)動力學(xué)規(guī)則,反應(yīng)還需要克服電子與/T??的結(jié)合勢壘。一定溫度下,水中/T的能級是一定的,因此,只要系統(tǒng)中電子??的能量到達某一高值,便可以從水中析氫。通過理論和實驗可知[3],標準狀??況下,當濃度為1?moll;1?(pH=0)時,水中//+還原的絕對能級相對于真空??為_4.44?eV,因此,在真空能級下,能量高于-4.44?eV的電子,理論上都可以??還原水產(chǎn)生氫氣。電分解水是通過外加電場將電極中的電子激發(fā)到較高能量,??從而還原/T生成//2的,但這不是提升系統(tǒng)中電子能量的唯一途徑。??按照量子力學(xué)的計算結(jié)果,固體中的電子能量是量子化的,呈現(xiàn)出能帶??結(jié)構(gòu),電子按能量的高低依次占據(jù)著能帶中的能級。能帶之間有能量縫隙,??是電子能量在量子力學(xué)上的零概率帶,稱為禁帶。理論上,絕對零度下電子??所能占據(jù)的最高能級,或者電子的填充概率為50%時所對應(yīng)的能級,稱為費??米能級(五F)。按費米能級在能帶中的的位置,可將固體分為導(dǎo)體(玢位于??能帶內(nèi))和非

示意圖,價帶,導(dǎo)帶,費米能


?北京科技大學(xué)博士學(xué)位論文???中,五F位于禁帶內(nèi),通常關(guān)注靠近辦的能帶(下面為價帶,上面為導(dǎo)帶),??這里是半導(dǎo)體中電子能量變化比較劇烈的位置。半導(dǎo)體的價帶是被電子占滿??的,價帶頂?shù)哪芗墳槲澹郑拢鴮?dǎo)帶是空的,導(dǎo)帶底的能級為五CB,費米能級??私位于價帶和導(dǎo)帶之間,如下圖1-3所示。??個???-歷導(dǎo)帶j??韶費米隱?,j^^-辦??H?半導(dǎo)體??絕緣體??圖1-3固體能帶示意圖,禁帶寬度£s,費米能級,價帶頂£vb,導(dǎo)帶底£cb??在合適的光照下,半導(dǎo)體中價帶頂?shù)碾娮涌梢晕展庾幽芰,躍過禁帶,??到達導(dǎo)帶底,形成光生電子,同時在價帶頂留下一個未被占據(jù)的量子態(tài)(光??生空穴)。光生電子會很快躍遷回價帶頂(與光生空穴復(fù)合),但源源不斷的??光照會產(chǎn)生源源不斷的光生電子-空穴對。當構(gòu)造合適的結(jié)構(gòu)時,光生電子-??空穴對將被高效分離,從而形成穩(wěn)定的光電流和光電壓。將半導(dǎo)體浸入水中,??若其導(dǎo)帶底能級高于氫還原能級,則半導(dǎo)體表面的光生電子可以和水中的/T??結(jié)合形成//,并進一步形成//2,從而實現(xiàn)水的分解制氫。同理,若價帶頂??能級低于水的氧化能級,則光生空穴有可能奪取氫氧根中的電子,將其氧化??為氧氣,從而實現(xiàn)水的分解制氧。這樣,就形成了異于電化學(xué)分解水的光化??學(xué)分解水機制,如圖1-4所示。在這個過程中,參與反應(yīng)的是半導(dǎo)體中的光??生電子和空穴,而半導(dǎo)體本身并不改變,這類似于催化反應(yīng),故稱為光催化??分解水,其關(guān)鍵是增強半導(dǎo)體的光吸收并促使光生電子-空穴對的分離[4]。對??于光催化全分解水,需要半導(dǎo)體材料具有合適的能帶結(jié)構(gòu),其導(dǎo)帶底能級的??絕對位置比氫的還原能級更低,以便光生電子還原水中的氫

【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:3272230

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