發(fā)布時間：2021-07-03 13:33

　　單晶氧化鎵（β-Ga₂O₃）是具有超寬禁帶、高擊穿場強和深紫外波段透射率高等優(yōu)良物化特性的半導體材料,在高頻、高效率、大功率微電子器件和高壓設備領域具有廣闊的應用前景。單晶氧化鎵材料的加工技術包括晶體生長、切片、研磨、拋光等,尤其是研磨、拋光加工是決定晶片表面加工質量的關鍵加工工序。由于其自身的解理屬性,在傳統(tǒng)研磨加工過程中容易出現(xiàn)解理裂紋、解理舌、解理坑等缺陷,后期拋光過程中難以進行去除,嚴重影響晶片表面質量,制約其推廣應用。本文主要研究內容如下:（1）制備粘彈性氧化鎵用研磨墊�；谡硰椥圆牧狭W行為的變形理論制備了粘彈性氧化鎵用研磨墊,并通過實驗研究確定了其組成成分,結果表明:彈性層為布基、研磨層由質量分數5%-10%金剛石微粉、25%-40%樹脂膠、30%-40%水溶性研磨助劑和去離子水組成。（2）研究粘彈性研磨墊對氧化鎵研磨效果的影響。采用傳統(tǒng)錫盤、砂紙和粘彈性研磨墊對氧化鎵進行研磨對比實驗研究,結果表明:當研磨壓力為50g/cm²,轉速為120rpm,采用錫盤和砂紙研磨時,參與有效去除的磨粒數目多,磨�？焖偾腥�... 

【文章來源】：江蘇大學江蘇省

【文章頁數】：71 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

（a）β-Ga2O3場效應晶體管橫截面（b）光學顯微鏡俯視圖

江 蘇 大 學 專 業(yè) 碩 士 學 位 論 文aN制造相同結構的器件時，通常難以達到同樣的指體器件的研發(fā)方面具有很大的成本優(yōu)勢[20]。 1.3（a）β-Ga2O3場效應晶體管橫截面 （b）光學顯微鏡俯oss section of β-Ga2O3field effect transistor (b) Optical micro

圖 2.1 導模法生長單晶氧化鎵過程示意圖Fig.2.1 The schematic diagram of β-Ga2O3by EF法Floating Zone Technique, FZ）是目前生長單方法采用四燈加熱技術，其生長原理示意化鎵粉末放入橡膠管中，經壓縮并在高溫紅外成像爐中通過大功率光學設備進行加

【參考文獻】：
期刊論文
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[4]聚氨酯/無紡布復合拋光墊的微結構控制及透水性能改進[J]. 張曉丹,成惠民,曹新宇,張京楠,馬永梅.  塑料. 2016(01)
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博士論文
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碩士論文
[1]氧化鎵異質外延薄膜結構與性質的關系研究[D]. 夏勇.電子科技大學 2016
[2]黏彈性阻尼隨機系統(tǒng)最優(yōu)有界控制及瞬態(tài)響應[D]. 桑超.廈門大學 2014
[3]大口徑KDP晶體切片專用線鋸床設計[D]. 趙慶超.山東大學 2012
[4]木復合材料熱粘彈性本構研究與熱成形模擬[D]. 劉雪.上海交通大學 2012



本文編號：3262679