近年來,在以石墨烯為代表的二維（2D）材料中觀測到的量子霍爾效應、二維超導等奇異的輸運性質(zhì)引起了人們對二維材料的研究熱潮。最近,在層狀過渡金屬硫化物（TMDCs）中,因其特殊的晶體結構與特有的強自旋—軌道耦合作用導致的二類Weyl費米子更是引起了物理學界的廣泛關注。特別是隨著樣品制備技術的進步,人們最近在單層WTe₂中實現(xiàn)了量子反�；魻栃�,在單層二硫化鉬（MoS₂）中通過鐵磁門電極調(diào)控實現(xiàn)了巨磁阻效應,以及在單層VS₂中觀察到了室溫鐵磁性。這些工作為研究少層過渡金屬硫化物在自旋電子學中的應用普奠定了基礎。但是,目前這些單層過渡金屬硫化物均是通過復雜的機械解理工藝得到的,并涉及到多步的樣品轉移過程,極大地限制了人們的研究進度。因此,有必要尋找一種更容易獲得二維鐵磁材料的新途徑。本研究以此為出發(fā)點,利用化學氣相沉積技術（CVD）生長了高質(zhì)量的少層FeS₂樣品,通過高分辯透射電子顯微鏡（HETEM）、拉曼光譜（Raman Spectra）、X射線光電子能譜（XPS）等手段對樣品進行了表征,證明其是2H相... 

【文章來源】：遼寧大學遼寧省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：44 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

過渡金屬硫化物（TMDCs）晶體結構（a）-（c）few-layerMX2樣品中的1H相，1T相與1T’相（d）-（e）bulkMX2樣品中的1T’相與1Td相（f）單層MX2樣品中的1Td

圖 1-2 二硫化鉬（a）能帶結構和（b）布里淵區(qū)（c）MoS2,WS2,MoSe2,WSe2,MoTe2和 WTe26 種材料能隙（d）通過計算得到的邊緣態(tài)（e）距離離邊緣距離的函數(shù)的 g 點的局部狀態(tài)密度。圖片來源[17-19]這是繼拓撲絕緣體后，二維材料領域里又一重大發(fā)現(xiàn)，這一發(fā)現(xiàn)一經(jīng)發(fā)表立刻引起了人們對過渡金屬硫化物（TMDCs）的巨大研究興趣，拓寬了 TMDCs材料自旋量子器件的應用范圍。1.2.2 巨磁阻效應巨磁阻效應：（Giant Magneto Resistance，GMR）在磁性材料中，非常小的磁性變化可以使電阻發(fā)生巨大的變化。1988 年，法國科學家 Albert Fert 和德國科學家 Peter Grünberg[20]分別獨立發(fā)現(xiàn)了這一新奇現(xiàn)象，并共同獲得了 2007 年的諾貝爾物理學獎。

第 1 章 緒論對這一領域不斷深入研究，尤其是近幾年在 WExtremely Large positive Magnetoresistance ，飽和趨勢。如圖 1-3[21]所示，當溫度 T=4.5K,resistance,MR）達到 452，700%，隨著磁阻一極限）并降低溫度至 MR 值為 13，000，000%


本文編號：3248931