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Ag摻雜ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)可見(jiàn)光吸收特性的第一性原理

發(fā)布時(shí)間:2021-06-22 17:25
  ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)帶隙寬度較寬,制約了對(duì)可見(jiàn)光的吸收。為研究Ag對(duì)ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)可見(jiàn)光吸收的影響,在(1-100)非極性面上構(gòu)建GaN/ZnO異質(zhì)結(jié),并用Ag分別取代不同位置的Zn和Ga原子,采用第一性原理計(jì)算Ag摻雜對(duì)ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)穩(wěn)定性、電子結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)和帶邊位置的影響。研究結(jié)果表明:Ag摻雜ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)形成能為負(fù)值,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定;Ag置換Zn和Ga使帶隙寬度由2.93 eV分別減小至2.7 eV和2.3 eV,吸收系數(shù)和光電導(dǎo)產(chǎn)生紅移,有利于可見(jiàn)光的吸收,Ag摻雜ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)具有良好的光催化活性。 

【文章來(lái)源】:太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報(bào). 2020,18(04)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于第一性原理的單層SnSe2二維薄膜的氣敏效應(yīng)[J]. 官德斌,楊芳,余堃,楊希,劉建,肖丹.  太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報(bào). 2019(03)
[2]Ag摻雜對(duì)n-ZnO納米棒/p-GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響[J]. 余春燕,戶(hù)芳,梅伏洪,李銳,賈偉,李天保.  無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2018(02)



本文編號(hào):3243240

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