研究了氮化碳修飾的氧化鋅納米線陣列作為光陽極在光電化學(xué)（PEC）電池中的應(yīng)用。首先采用水熱法制備氧化鋅納米線陣列,用二氰二胺制備石墨狀氮化碳（g-C₃N₄）和無定形氮化碳（a-C₃N₄）。然后用不同濃度的g-C₃N₄和a-C₃N₄懸濁液修飾氧化鋅納米線陣列。通過SEM、XRD、FT-IR、XPS、UV-Vis等方法表征樣品的結(jié)構(gòu)與成分,紫外-可見光吸收光譜表明氧化鋅納米線陣列在可見光區(qū)的光吸收強(qiáng)度隨著氮化碳懸濁液濃度的增加而提高,并且在相同條件下,a-C₃N₄/ZnO比g-C₃N₄/ZnO在可見光區(qū)有更好的吸收。將一系列氮化碳修飾的氧化鋅納米線陣列制作成光陽極器件,并進(jìn)行光電化學(xué)測試,氮化碳的修飾可以使氧化鋅納米線陣列的光電催化性能有顯著提高,并且a-C₃N₄/ZnO比g-C

【文章來源】：沈陽師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,38(02)

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 ZnO納米線陣列的制備
    1.2 氮化碳的制備
    1.3 氮化碳修飾ZnO納米線陣列
    1.4 氮化碳修飾ZnO納米線陣列光陽極器件的制作
2 數(shù)據(jù)與討論
    2.1 石墨氮化碳和無定形氮化碳的結(jié)構(gòu)與組分表征
    2.2 氮化碳修飾的ZnO納米線陣列的結(jié)構(gòu)與組分表征
    2.3 氮化碳修飾的氧化鋅納米線陣列的UV-Vis與PEC光陽極性能測試
3 結(jié) 論



本文編號：3189617