隨著電子設備不斷向輕量化、低成本和高品質(zhì)方向發(fā)展,要求相應的元器件必須兼具小型化、高性能、低成本和環(huán)境友好等特征。鈮酸鉀鈉基無鉛介電陶瓷是一類備受關注的環(huán)境友好型電子材料,其各方面的綜合性能較好,例如,高的居里溫度為實現(xiàn)寬的介電溫度穩(wěn)定區(qū)間提供了可能,這一特點可以實現(xiàn)該材料在多層陶瓷電容器（英文簡稱MLCC）高溫領域的應用。為了促進鈮酸鉀鈉基陶瓷在該領域的發(fā)展,越來越多的研究者投身于其中,但是由于其在高溫下金屬元素（K,Na）的揮發(fā)導致(K_0.5Na_0.5)NbO₃（KNN）的性能未達理想值,因此提高KNN的電學性能具有重大意義。本文采用傳統(tǒng)的固相燒結(jié)法制備Bi(Cu_2/3Nb_1/3)O₃（BCN）、Bi(Ni_2/3Nb_1/3)O₃（BNN）、Bi(Ni_3/4W_1/4)O₃（BNW）、Bi(Mg_3/4Mo... 

【文章來源】：桂林理工大學廣西壯族自治區(qū)

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

ABO3晶體結(jié)構(gòu)圖[6]

4具有鐵電性能的材料重要特征是具有電滯回線，如圖1.2所示為典型的P-E（極化強度-外加電場）回線[9]。在外加電場的作用下，隨著電場強度的持續(xù)增大，到達某一值時會出現(xiàn)晶體內(nèi)部只存在與電場方向相同的單個電疇，這時鐵電體的極化強度達到飽和，如圖C點位置。此時當電場開始降低時，晶體的極化強度也逐漸下降。當電場強度降到0值時，會存在一個剩余極化強度（Pr），這個剩余極化強度的產(chǎn)生，是由于陶瓷中不同晶相的存在以及晶相的對稱性差使得之前翻轉(zhuǎn)的電疇在返回到原來的位子上的路徑變得困難。CB線段延長線與P軸的交點Ps表示電疇的自發(fā)極化強度，相當于每個電疇固有的極化強度。為了去掉Pr必須再加反向電場，使晶體中電場方向的電疇偶極矩與逆電場方向的電疇極矩相等，極化相消，Ec為使極化消失的電場，也是矯正極化狀態(tài)的電場值，稱為矯頑常圖1.2電滯回線[9]Figure1.2Ferroelectrichysteresisloop1.5研究思路及內(nèi)容1.5.1研究思路隨著現(xiàn)代網(wǎng)絡科學技術的飛快發(fā)展，依托4G的良好技術，第五代移動通訊技術即5G時代已經(jīng)迅速發(fā)展起來，電子元器件又迎來了一次快速發(fā)展的新時期。由于功能陶瓷的小型化、高性能等優(yōu)點，人們對電子陶瓷材料的需求加大，例如多層陶瓷電容器（MLCC）市場中，研究者對性能優(yōu)異的介電陶瓷投入了大量的關注。目前，為了代替有毒的鉛基陶瓷材料，擴大健康友好型市場，許多無鉛介電陶瓷正在被研究當中，如鈮酸鉀鈉基、碳酸鋇基、以及鈦酸鉍鈉基陶瓷等。其中，鈮酸鉀鈉基無鉛介電陶瓷在高溫領域的應用具有很大的應用前景，但是它的

14表3.1(1-x)KNN-xBCN和(1-x)KNN-xBNN配方原料質(zhì)量Table3.1Massofrawmaterialsfor(1-x)KNN-xBCNand(1-x)KNN-xBNN單位(g)(K0.5Na0.5)NbO3Bi(Cu2/3Nb1/3)O3K2CO3Na2CO3Nb2O5Bi2O3CuONb2O523.63829.385547.07639.3292.12353.5475x=0150x=0.00514.85660.1434x=0.0114.71450.2855x=0.01514.57370.4263x=0.0214.43410.5659單位(g)(K0.5Na0.5)NbO3Bi(Ni2/3Nb1/3)O3K2CO3Na2CO3Nb2O5Bi2O3NiONb2O523.63829.385547.07639.82832.01523.5565x=0150x=0.00514.85800.1420x=0.007514.78740.2126x=0.0114.71720.2828x=0.012514.64730.3527x=0.01514.57770.42233.3KNN-BCN陶瓷的實驗結(jié)果分析3.3.1KNN-BCN陶瓷的相結(jié)構(gòu)圖3.1(1-x)KNN-xBCN陶瓷的XRD衍射圖譜Figure3.1XRDpattersof(1-x)KNN-xBCNceramic如圖3.1為最佳溫度燒結(jié)的(1-x)KNN-xBCN(x=0，0.005，0.01，0.015，0.02)陶瓷的XRD衍射圖譜(最佳燒結(jié)溫度分別為1145℃、1145℃、1155℃、1130℃)。

【參考文獻】：
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本文編號：3119498