h-BN陶瓷材料由于具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,介電性能優(yōu)良以及可加工性能好等一系列優(yōu)點,因此成為下一代高速飛行器天線罩的備選材料,但是同時其也存在難燒結(jié)、強度偏低,抗粒子侵蝕和抗雨蝕能力差等缺點,這也在一定程度上限制了其應(yīng)用。BAS玻璃陶瓷具有較高的強度和硬度,同時也具有相對較低的介電常數(shù)和介電損耗,因此將BAS引入到BN基體中,可以獲得綜合性能優(yōu)異的復(fù)合陶瓷。本文以h-BN、BaCO3、Al2O3和SiO2為原料,采用熱壓燒結(jié)法制備了四種不同BAS含量的BAS/BN復(fù)合陶瓷,并研究了BAS含量對BAS/BN復(fù)合陶瓷微觀組織結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能、熱學(xué)性能、介電性能、抗熱震性能、耐燒蝕性能的影響規(guī)律。研究結(jié)果表明:熱壓燒結(jié)法制備的BAS/BN復(fù)合陶瓷其物相主要由h-BN、六方BAS相組成。隨著BAS相含量的增加,BAS/BN復(fù)合陶瓷的致密度和力學(xué)性能明顯提升。40vol%BAS/BN復(fù)合陶瓷的綜合機械性能最優(yōu),其抗彎強度、彈性模量、斷裂韌性以及硬度分別為175±3MPa、114.0±1.2 GPa、2.02±0.10MPa·m1/2、1.08±0.01GPa。BAS/BN復(fù)合陶瓷的室溫介電性能隨著B... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

BN晶體結(jié)構(gòu)

圖 1-2 Si3N4/BN 復(fù)相陶瓷斷口的 SEM 照片[32]jin[33]采用凝膠注模成型法制備了介電性能優(yōu)異、陶瓷。并且發(fā)現(xiàn) 10vol%BN/Si3N4復(fù)合陶瓷的生工性，可在前期進行相應(yīng)的鉆孔、切削等機械加34]以六方氮化硼粉末和亞微米級的 - Si3N4為原劑，采用熱壓燒結(jié)法，制備出 h-BN/Si3N4復(fù)合隨著 h-BN 含量的增加，h-BN/Si3N4復(fù)合陶瓷的示。這主要是因為 h-BN 含量的增加會阻止 β-S β-Si3N4的晶粒形貌和數(shù)量，使得長柱狀的 β-S變成短柱狀的 β-Si3N4晶粒，如圖 1-4 所示。而短小的橋連和偏轉(zhuǎn)，因此復(fù)合陶瓷的斷裂韌性逐漸-BN 的界面結(jié)合力較弱，當(dāng)裂紋擴展遇到 h-BN 行擴展，因此改變了裂紋的擴展路徑，增加了裂裂韌性有增大的趨勢。在這兩方面因素的共同瓷的斷裂韌性呈下降趨勢，但下降幅度較小。

jin[33]采用凝膠注模成型法制備了介電性能優(yōu)異、陶瓷。并且發(fā)現(xiàn) 10vol%BN/Si3N4復(fù)合陶瓷的生工性，可在前期進行相應(yīng)的鉆孔、切削等機械加34]以六方氮化硼粉末和亞微米級的 - Si3N4為原劑，采用熱壓燒結(jié)法，制備出 h-BN/Si3N4復(fù)合隨著 h-BN 含量的增加，h-BN/Si3N4復(fù)合陶瓷的示。這主要是因為 h-BN 含量的增加會阻止 β-S β-Si3N4的晶粒形貌和數(shù)量，使得長柱狀的 β-S變成短柱狀的 β-Si3N4晶粒，如圖 1-4 所示。而短小的橋連和偏轉(zhuǎn)，因此復(fù)合陶瓷的斷裂韌性逐漸-BN 的界面結(jié)合力較弱，當(dāng)裂紋擴展遇到 h-BN 行擴展，因此改變了裂紋的擴展路徑，增加了裂裂韌性有增大的趨勢。在這兩方面因素的共同瓷的斷裂韌性呈下降趨勢，但下降幅度較小。


本文編號：3073742