在微機(jī)電技術(shù)中,利用刻蝕方法對硅進(jìn)行體結(jié)構(gòu)加工是一步重要的工藝程序.本文提出了一種基于四甲基氫氧化銨的新型刻蝕方法,四甲基氫氧化銨刻蝕溶液被加熱到沸點,單晶硅片置于刻蝕液面的上方,通過刻蝕溶液的蒸汽實現(xiàn)對硅片的各向異性氣相刻蝕,此方法并不依賴于昂貴的傳統(tǒng)干法刻蝕真空設(shè)備.相比于傳統(tǒng)濕法刻蝕,本文提出的刻蝕方法具有若干優(yōu)點,例如低粗糙度、高刻蝕速率和高均勻性,刻蝕速率和表面粗糙度分別可達(dá)到2.13μm/min和1.02 nm.同時,在背腔刻蝕工藝中,在硅片非刻蝕面上的隔膜結(jié)構(gòu)和Al基圖形可被完好無損地保存下來.最后,本文提出了一種可能的刻蝕機(jī)理說明觀察到的實驗現(xiàn)象.與傳統(tǒng)濕法刻蝕不同,在本文的氣相刻蝕中,由于刻蝕溶液的蒸發(fā)過程,刻蝕表面將形成一層薄的水汽層,四甲基氫氧化銨刻蝕劑的離化和刻蝕反應(yīng)均在這一層中進(jìn)行,這有助于H2氣泡的快速脫附,以及反應(yīng)界面分子交換速率的提升. 

【文章來源】：Chinese Journal of Chemical Physics. 2020,33(06)

【文章頁數(shù)】：10 頁

【文章目錄】：
I.INTRODUCTION
II.EXPERIMENTS
III.RESULTS AND DISCUSSION
IV.CONCLUSION



本文編號：3071343