沉淀包覆法制備細(xì)晶粒鈦酸鍶基陶瓷及其儲能性能研究
發(fā)布時間:2021-03-02 06:43
隨著電子工業(yè)的快速發(fā)展,各種電子器件均向著小型化發(fā)展,陶瓷電容器作為脈沖脈沖功率技術(shù)中的儲能電介質(zhì),它的儲能密度限制了脈沖功率技術(shù)的小型化應(yīng)用,如何提高陶瓷電容器的儲能密度是當(dāng)前急需解決的問題。本文采用溶膠-共沉淀法將高耐壓材料9B2O3-13Al2O3-78SiO2(BAS)、2MgO-2Al2O3-5SiO2(MAS)均勻的包覆在SrTiO3(ST)、Ba0.4Sr0.6TiO3(BST)顆粒表面,通過一步燒結(jié)法煅燒成陶瓷,旨在獲得高耐電場強(qiáng)度、高儲能密度及高儲能效率的細(xì)晶粒SrTiO3基陶瓷,并研究了不同包覆量的BAS和MAS對陶瓷燒結(jié)性能、顯微結(jié)構(gòu)及儲能性能的影響。采用溶膠-共沉淀法成功的將BAS均勻包覆在ST顆粒表面,通過一步燒結(jié)法制得ST-xwt%BAS(x=0;1;2;3;4;6;8;10)...
【文章來源】:武漢理工大學(xué)湖北省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:83 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
介電常數(shù)與極化強(qiáng)度與外加電場的關(guān)系(a)順電體材料;(b)鐵電體材料;(c)反鐵電體材料
武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文3其中:C為電容量(F),d為樣品兩端電極之間厚度(m),A為電極面積(m2)。圖1-2板狀電容器工作原理示意圖Fig.1-2Schematicdrawingofprincipleofoperationofplatecapacitor介電材料的極化方式有三種,分別是位移式極化、極性分子的轉(zhuǎn)向極化和空間電荷極化,其極化響應(yīng)時間依次增大。位移式極化。位移式極化分為電子位移極化和離子位移極化,電子位移極化的響應(yīng)時間約為10-14s~10-16s,極化時間極短,無能量損耗且不受溫度與外加電場頻率的影響,所有介電材料內(nèi)部均存在這種極化;離子位移極化的響應(yīng)時間約為10-12s~10-14s,這種極化與溫度無關(guān),受外加電場頻率的影響。極性分子轉(zhuǎn)向極化。在外加電場的作用下介電材料材料內(nèi)部的極性分子沿著電場方向定向排列,從而產(chǎn)生極化。極性分子轉(zhuǎn)向極化的響應(yīng)時間約為10-6s~10-2s,受溫度和外加電場頻率的影響?臻g電荷極化。介電材料內(nèi)部往往會存在各種缺陷或者界面,在外加電場作用下,電荷會在這些區(qū)域聚集,從而產(chǎn)生極化?臻g電荷極化的響應(yīng)時間最長,從數(shù)秒到數(shù)百秒不等,同時也受溫度和外加電場頻率的影響。介電材料在極化的過程中總會有一部分電能以熱能形式被損耗。單位時間內(nèi)這種損耗所消耗的能量即為介電損耗(tanθ)。對陶瓷材料而言,除了材料組成、結(jié)構(gòu)等本征因素以外,陶瓷的致密度以及其結(jié)構(gòu)均勻性等非本征因素也會對其介電損耗產(chǎn)生影響。對于儲能陶瓷而言,均勻致密的微觀結(jié)構(gòu)能有效降低陶瓷樣品的介電損耗,減小電能損耗。1.2.2臨界擊穿電場強(qiáng)度臨界擊穿電場強(qiáng)度(DielectricBreakdownstrength)指的是陶瓷樣品最大耐電
武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文5其中P是陶瓷樣品在外加電場下的極化強(qiáng)度。對陶瓷樣品而言,0E遠(yuǎn)小于P,即D≈P。因此,陶瓷樣品的儲能密度也可以由公式(1-6)計算:J=0PmaxEdP=0Emaxε0εrEdE(1-6)其中:r為陶瓷材料的相對介電常數(shù),0為真空介電常數(shù)(8.85×10-12F/m)。由以上公式可知,陶瓷樣品的最大極化強(qiáng)度越高、臨界擊穿電場強(qiáng)度越大以及儲能效率越高,樣品的有效儲能密度越大。圖1-3陶瓷樣品的P-E曲線Fig.1-3TheP-Eloopofceramicsample1.3鈦酸鍶儲能陶瓷的結(jié)構(gòu)與性能鈦酸鍶是典型的立方相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)(ABO3型結(jié)構(gòu)),圖1-4是鈦酸鍶材料的晶體結(jié)構(gòu)[15],Sr2+位于晶胞頂角處,O2-處于晶胞面心位置,Ti4+位于晶胞體心位置,Ti4+和O2-構(gòu)成[TiO6]八面體。鈦酸鍶陶瓷具有中等大小的介電常數(shù)(~340)、低的介電損耗(~0.004)。作為順電體陶瓷,理論上而言,鈦酸鍶陶瓷的介電常數(shù)不隨外加電場強(qiáng)度的改變而改變,但實際上,如圖1-5所示,在低電場下,鈦酸鍶陶瓷的介電常數(shù)能保持不變,但隨著外加電場強(qiáng)度的進(jìn)一步增加,鈦酸鍶陶瓷的介電常數(shù)逐漸下降,這是由于受到直流電場的影響[TiO6]八面體中鈦離子之間產(chǎn)生非諧性相互作用[16]。這種材料的介電常數(shù)隨著外加電場強(qiáng)度的增大而減小的現(xiàn)象被稱為介電非線性,所有介電陶瓷均存在這種現(xiàn)象。鈦酸鍶陶瓷的介電非線性較弱,即其具有良好的偏壓穩(wěn)定性。對于儲能陶瓷而言,良好的偏壓
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]直流偏置電場下BaTiO3基陶瓷介電常數(shù)非線性機(jī)理的研究[J]. 梁瑞虹,董顯林,陳瑩,曹菲,王永齡. 物理學(xué)報. 2005(10)
博士論文
[1]巨介電常數(shù)低介電損耗SrTiO3基陶瓷制備與介電響應(yīng)機(jī)制研究[D]. 王志建.武漢理工大學(xué) 2015
本文編號:3058811
【文章來源】:武漢理工大學(xué)湖北省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:83 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
介電常數(shù)與極化強(qiáng)度與外加電場的關(guān)系(a)順電體材料;(b)鐵電體材料;(c)反鐵電體材料
武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文3其中:C為電容量(F),d為樣品兩端電極之間厚度(m),A為電極面積(m2)。圖1-2板狀電容器工作原理示意圖Fig.1-2Schematicdrawingofprincipleofoperationofplatecapacitor介電材料的極化方式有三種,分別是位移式極化、極性分子的轉(zhuǎn)向極化和空間電荷極化,其極化響應(yīng)時間依次增大。位移式極化。位移式極化分為電子位移極化和離子位移極化,電子位移極化的響應(yīng)時間約為10-14s~10-16s,極化時間極短,無能量損耗且不受溫度與外加電場頻率的影響,所有介電材料內(nèi)部均存在這種極化;離子位移極化的響應(yīng)時間約為10-12s~10-14s,這種極化與溫度無關(guān),受外加電場頻率的影響。極性分子轉(zhuǎn)向極化。在外加電場的作用下介電材料材料內(nèi)部的極性分子沿著電場方向定向排列,從而產(chǎn)生極化。極性分子轉(zhuǎn)向極化的響應(yīng)時間約為10-6s~10-2s,受溫度和外加電場頻率的影響?臻g電荷極化。介電材料內(nèi)部往往會存在各種缺陷或者界面,在外加電場作用下,電荷會在這些區(qū)域聚集,從而產(chǎn)生極化?臻g電荷極化的響應(yīng)時間最長,從數(shù)秒到數(shù)百秒不等,同時也受溫度和外加電場頻率的影響。介電材料在極化的過程中總會有一部分電能以熱能形式被損耗。單位時間內(nèi)這種損耗所消耗的能量即為介電損耗(tanθ)。對陶瓷材料而言,除了材料組成、結(jié)構(gòu)等本征因素以外,陶瓷的致密度以及其結(jié)構(gòu)均勻性等非本征因素也會對其介電損耗產(chǎn)生影響。對于儲能陶瓷而言,均勻致密的微觀結(jié)構(gòu)能有效降低陶瓷樣品的介電損耗,減小電能損耗。1.2.2臨界擊穿電場強(qiáng)度臨界擊穿電場強(qiáng)度(DielectricBreakdownstrength)指的是陶瓷樣品最大耐電
武漢理工大學(xué)碩士學(xué)位論文5其中P是陶瓷樣品在外加電場下的極化強(qiáng)度。對陶瓷樣品而言,0E遠(yuǎn)小于P,即D≈P。因此,陶瓷樣品的儲能密度也可以由公式(1-6)計算:J=0PmaxEdP=0Emaxε0εrEdE(1-6)其中:r為陶瓷材料的相對介電常數(shù),0為真空介電常數(shù)(8.85×10-12F/m)。由以上公式可知,陶瓷樣品的最大極化強(qiáng)度越高、臨界擊穿電場強(qiáng)度越大以及儲能效率越高,樣品的有效儲能密度越大。圖1-3陶瓷樣品的P-E曲線Fig.1-3TheP-Eloopofceramicsample1.3鈦酸鍶儲能陶瓷的結(jié)構(gòu)與性能鈦酸鍶是典型的立方相鈣鈦礦結(jié)構(gòu)(ABO3型結(jié)構(gòu)),圖1-4是鈦酸鍶材料的晶體結(jié)構(gòu)[15],Sr2+位于晶胞頂角處,O2-處于晶胞面心位置,Ti4+位于晶胞體心位置,Ti4+和O2-構(gòu)成[TiO6]八面體。鈦酸鍶陶瓷具有中等大小的介電常數(shù)(~340)、低的介電損耗(~0.004)。作為順電體陶瓷,理論上而言,鈦酸鍶陶瓷的介電常數(shù)不隨外加電場強(qiáng)度的改變而改變,但實際上,如圖1-5所示,在低電場下,鈦酸鍶陶瓷的介電常數(shù)能保持不變,但隨著外加電場強(qiáng)度的進(jìn)一步增加,鈦酸鍶陶瓷的介電常數(shù)逐漸下降,這是由于受到直流電場的影響[TiO6]八面體中鈦離子之間產(chǎn)生非諧性相互作用[16]。這種材料的介電常數(shù)隨著外加電場強(qiáng)度的增大而減小的現(xiàn)象被稱為介電非線性,所有介電陶瓷均存在這種現(xiàn)象。鈦酸鍶陶瓷的介電非線性較弱,即其具有良好的偏壓穩(wěn)定性。對于儲能陶瓷而言,良好的偏壓
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]直流偏置電場下BaTiO3基陶瓷介電常數(shù)非線性機(jī)理的研究[J]. 梁瑞虹,董顯林,陳瑩,曹菲,王永齡. 物理學(xué)報. 2005(10)
博士論文
[1]巨介電常數(shù)低介電損耗SrTiO3基陶瓷制備與介電響應(yīng)機(jī)制研究[D]. 王志建.武漢理工大學(xué) 2015
本文編號:3058811
本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/huaxuehuagong/3058811.html
最近更新
教材專著