硅片表面鈍化是a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池獲得高轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。用于鈍化的薄膜材料主要有氫化非晶硅a-Si:H、氫化非晶氧化硅a-SiO_x:H。目前,對(duì)這兩種材料鈍化的關(guān)鍵控制參量的認(rèn)識(shí)仍不夠明晰,導(dǎo)致無(wú)法準(zhǔn)確把握其制備技術(shù)改進(jìn)方向。本文采用熱絲化學(xué)氣相沉積（HWCVD）法制備a-Si:H薄膜和a-SiO_x:H薄膜,通過(guò)改變工藝參數(shù)獲得不同微觀結(jié)構(gòu)和鈍化效果的薄膜,采用橢圓偏振光譜儀、傅里葉紅外以及少子壽命測(cè)試儀系統(tǒng)分析薄膜微觀結(jié)構(gòu)、介電函數(shù)等指標(biāo)與鈍化效果的關(guān)聯(lián),主要取得如下結(jié)論:（1）在形成非晶硅網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)時(shí),高頻介電函數(shù)ε_1∞與折射率的關(guān)系為當(dāng)k=0,ε_1∞=n_∞²,a-Si:H薄膜的折射率越大意味著薄膜結(jié)構(gòu)更為致密。結(jié)合紅外光譜分析發(fā)現(xiàn),每個(gè)工藝參數(shù)中,薄膜微觀結(jié)構(gòu)因子R^*[I_SiH2/(I_{Si H}+I_SiH2)]是在折射率n_∞

【文章來(lái)源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：58 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

典型的HIT異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)圖

圖 1.2 部分研究機(jī)構(gòu)的晶體硅異質(zhì)結(jié)天陽(yáng)電池效率發(fā)展史[3]圖 1.3 世界各個(gè)研究機(jī)構(gòu)的 SHJ 電池開(kāi)壓和效率關(guān)系[4]晶體硅異質(zhì)結(jié)的前沿研究機(jī)構(gòu)有很多，在美國(guó)有國(guó)家可再ationalRenewableEnergyLaboratory)，在日本有 Panasoni

2圖 1.3 世界各個(gè)研究機(jī)構(gòu)的 SHJ 電池開(kāi)壓和效率關(guān)系[4]國(guó)際上，晶體硅異質(zhì)結(jié)的前沿研究機(jī)構(gòu)有很多，在美國(guó)有國(guó)家可再生能(NREL,NationalRenewableEnergyLaboratory)，在日本有 Panasonic 團(tuán)隊(duì)術(shù)綜合研究所(AIST,The NationalInstitute of Advanced Industrial Sciencnology)等。歐洲的非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)電池研究機(jī)構(gòu)較多，例如有德

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]熱絲電流對(duì)HWCVD制備α-Si∶H膜結(jié)構(gòu)及鈍化效果的影響[J]. 寧武濤,何玉平,黃海賓,周浪.  半導(dǎo)體技術(shù). 2015(08)
[2]MWECRCVD等離子體系統(tǒng)梯度磁場(chǎng)對(duì)沉積a-Si:H薄膜特性研究[J]. 胡躍輝,陰生毅,陳光華,吳越穎,周小明,周健兒,王青,張文理.  物理學(xué)報(bào). 2004(07)

博士論文
[1]熱絲CVD法制備硅基薄膜材料及相關(guān)太陽(yáng)電池模擬研究[D]. 黃海賓.南京航空航天大學(xué) 2010



本文編號(hào)：2964700