氧化石墨烯基納濾分離膜的性能調(diào)控研究
【學(xué)位單位】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TQ051.893
【部分圖文】:
極大的研究興趣。以碳納米管為例[3],分子動(dòng)力學(xué)研宄表明單壁碳納米管的超長(zhǎng)逡逑的低摩擦石墨化表面為水流提供了快速的傳遞通道,納米級(jí)尺度的管徑逡逑(0.47-0.81邋rnn)能夠?qū)崿F(xiàn)溶液中無機(jī)鹽的有效截留。如圖1.1,對(duì)于以石墨烯為逡逑代表的二維材料,可以通過在完美的sp2雜化原子晶格表面引入適當(dāng)尺寸的納米逡逑孔來篩分混合溶液或氣體中的組分,或以納米片為基本單元設(shè)計(jì)堆疊結(jié)構(gòu)和二維逡逑石墨化通道,來制備具有優(yōu)異傳質(zhì)特性的選擇性功能膜。逡逑本章緒論以石墨烯及其衍生物(納米孔石墨烯、氧化石墨烯薄膜及石墨烯基逡逑復(fù)合薄膜)這類新型碳材料的制備工藝、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和基本性能為基礎(chǔ),簡(jiǎn)要介紹逡逑其成膜組裝及修飾方法,并結(jié)合傳統(tǒng)商用聚合物分離膜的性能特點(diǎn)、截留機(jī)理、逡逑4逡逑
量子霍耳效應(yīng)等一系列獨(dú)特的性質(zhì)。逡逑作為由三重鍵合C-C鍵組成的完美二維材料,石墨烯是目前報(bào)道的本征強(qiáng)逡逑度最高的的材料。如圖1.2所示,美國(guó)哥倫比亞大學(xué)James等[6]利用原子力顯微逡逑鏡對(duì)單片石墨烯膜進(jìn)行力學(xué)測(cè)試,通過測(cè)量懸浮石墨烯膜的變形深度與原子力探逡逑針施加力的對(duì)應(yīng)關(guān)系,發(fā)現(xiàn)石墨烯具備優(yōu)異的本征拉伸強(qiáng)度和彈性性能。由二維逡逑蜂窩狀晶格緊密堆積排列的完美單層石墨烯,片層間不存在碳原子缺陷,即使原逡逑子尺寸最小的氦氣也不能通過石墨烯薄膜。逡逑1.2.2石墨烯的制備方法逡逑為了探索石墨烯材料特征的結(jié)構(gòu)性質(zhì)及其層出不窮的應(yīng)用潛力,石墨烯的可逡逑控制備與功能化成為繼續(xù)深入研宄物理化學(xué)性質(zhì)和實(shí)現(xiàn)潛在應(yīng)用的前提和基礎(chǔ)。逡逑?逡逑Mechanical邋exfoliation逡逑(research,逡逑CVD邐prototyping)逡逑(coating,邋bio,邋transparent逡逑'qu邋conductive邋layers,逡逑*.p邋?邋electronics
遵循滲碳-析碳生長(zhǎng)機(jī)制;(b)銅表面生長(zhǎng)石墨烯的碳同位素分布交替出現(xiàn),遵循表逡逑面吸附生長(zhǎng)機(jī)制[8]逡逑如圖1.4所示,化學(xué)氣相沉積(CVD)法生長(zhǎng)石墨烯[9],主要是利用氣態(tài)碳逡逑源,在高溫條件下在過渡金屬或非金屬材料表面上催化生長(zhǎng)來實(shí)現(xiàn)。從生長(zhǎng)機(jī)理逡逑上主要可以分為兩種[8]:邋(1)若使用的基底有較大的溶碳量,在高溫時(shí)將碳原子逡逑滲入體相,降溫時(shí)再將其內(nèi)部的碳原子析出并在金屬表面形成石墨烯,代表材料逡逑為金屬鎳(Ni);然而以Ni為基底生長(zhǎng)的石墨烯薄膜厚度不均一,一般為單層和逡逑多層的混合物。(2)若使用的基底有較小的溶碳量,高溫條件下氣態(tài)碳源僅能吸逡逑附于基底表面,并催化裂解出碳原子,進(jìn)而表面成核生長(zhǎng)出石墨烯結(jié)構(gòu),代表材逡逑料為金屬銅(Cu)。以Cu襯底為代表的低溶碳量材料表面吸附過程更利于均勻逡逑-邐石墨烯的生長(zhǎng)。除了傳統(tǒng)的金屬過渡金屬基底,以si02、Al203為代表的氧化物逡逑基底和NaCl等無機(jī)鹽固體基底上生長(zhǎng)石墨烯的工作也不斷被報(bào)道
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