二維材料硫摻雜硒化鉬的設(shè)計(jì)合成及其電催化析氫研究
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:O643.36;TQ116.2
【圖文】:
工程是將穩(wěn)態(tài)的半導(dǎo)體 2H 相轉(zhuǎn)化為亞穩(wěn)態(tài)的金屬 1T 相,這可以顯著提高 MX材料的電催化活性,使其與貴金屬基電催化劑具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。此外,豐富的缺陷(無(wú)序)的存在也被證明是增強(qiáng)電化學(xué)活性的原因。因此探索 MX2材料的合成方法、電場(chǎng)調(diào)控催化性能以及應(yīng)用具有重要意義。1.2 電催化分解水制氫將酸性環(huán)境中的析氫反應(yīng)的機(jī)理歸結(jié)為三個(gè)步驟[36],如圖 1-1a)所示。首先在由于電極表面的放電作用,在電極表面發(fā)生吸附反應(yīng),見(jiàn)公式(1-1),被稱為Volmer 過(guò)程:H+(aq)+e-+*→Hads*(1-1)通過(guò)這一過(guò)程完成電子和質(zhì)子的反應(yīng),在電極表面產(chǎn)生一個(gè)吸附氫原子,經(jīng)過(guò) Tafel 反應(yīng),兩個(gè)吸附氫原子結(jié)合生成氫氣,見(jiàn)公式(1-2)。同時(shí)經(jīng) Heyrovsk反應(yīng)質(zhì)子和吸附氫原子在電子的作用下結(jié)合生成氫氣,見(jiàn)(1-3)。2Hads*→H2(g)+2* (1-2)Hads*+ H+(aq) +e-→H2(g)+* (1-3)
圖 1-3 a)氧摻雜 MoS2納米薄片的示意圖,b)氧摻雜 MoS2納米薄片的催化性能謝毅教授課題組提出了一種可控的一步水熱法來(lái)完成MoS2超薄納米片程。具有豐富缺陷的 MoS2超薄納米片表現(xiàn)出優(yōu)異的電催化性能,這歸的缺陷和超薄納米片結(jié)構(gòu)引起的富集活性邊緣位點(diǎn)的協(xié)同作用[31]。在薄片結(jié)構(gòu)中,由于存在大量的缺陷,催化惰性的基平面會(huì)發(fā)生部分開(kāi)裂露出更活躍的邊緣位點(diǎn)。此外,調(diào)節(jié)層間距離是一種設(shè)計(jì)新穎高效的 劑的優(yōu)秀策略,用以提高電化學(xué)反應(yīng)的潛在活性[47]。美國(guó)阿岡國(guó)家實(shí)剛教授課題組用一種十分新穎的微波輔助方法制備了 MoS2納米片,所MoS2具有端部結(jié)構(gòu)和一個(gè)有效的層間擴(kuò)展空間[41],如圖 1-4 所示。
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