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  本文關(guān)鍵詞：單晶金剛石的研磨與化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《大連理工大學(xué)》 2013年

單晶金剛石的研磨與化學(xué)機(jī)械拋光工藝

李強(qiáng)  

【摘要】：單晶金剛石材料具有優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)和電學(xué)性能,在高科技特別是超精密加工領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,但對(duì)單晶金剛石表面質(zhì)量的要求也越來(lái)越高。由于單晶金剛石的特殊物理性能,實(shí)現(xiàn)其高精度加工極為困難。雖然目前存在多種加工方法,但都不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效、經(jīng)濟(jì)、高精度、低損傷的加工。為了兼顧各種加工方法的優(yōu)點(diǎn),通過(guò)組合工藝得以實(shí)現(xiàn)便成為一個(gè)重要的研究方向。本文提出采用機(jī)械研磨結(jié)合化學(xué)機(jī)械拋光的組合工藝加工單晶金剛石的方法。主要研究?jī)?nèi)容如下： (1)研究了單晶金剛石的機(jī)械研磨工藝。為了兼顧研磨效率和加工表面質(zhì)量,將機(jī)械研磨分為粗研磨和精研磨兩道工序,并通過(guò)機(jī)械研磨工藝試驗(yàn),確定了適合于這兩道工序的合理的金剛石磨粒粒度、研磨壓力及加工時(shí)間。 (2)研究了單晶金剛石的化學(xué)機(jī)械拋光工藝。通過(guò)在不同拋光壓力條件下進(jìn)行單晶金剛石的化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)比實(shí)驗(yàn),確定了合適的拋光壓力；采用無(wú)化學(xué)試劑、酸性和堿性三種拋光液的進(jìn)行了化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)比實(shí)驗(yàn),結(jié)果表明堿性拋光液的拋光效果最好。為了兼顧拋光效率和加工表面質(zhì)量,先粗拋光(采用粗糙表面的拋光盤)后再精拋光(采用光滑表面的拋光盤)的工藝方案,并通過(guò)拋光工藝實(shí)驗(yàn),確定了粗、精拋光加工階段合理的加工時(shí)間及所能達(dá)到的極限表面粗糙度值。 (3)提出了單晶金剛石的機(jī)械研磨和化學(xué)機(jī)械拋光組合加工工藝方案：先用粒度分別5μm和2μm的金剛石粉進(jìn)行機(jī)械研磨,然后再采用化學(xué)機(jī)械拋光的方法去除機(jī)械研磨帶來(lái)的損傷并進(jìn)一步降低表面粗糙度。用該組合加工工藝加工單晶金剛石,可獲得表面粗糙度Ra0.5nm左右(測(cè)量區(qū)域70μm×53μm)的無(wú)劃痕表面。 (4)分析加工后單晶金剛石表面特征。采用Raman光譜、XPS能譜分析手段對(duì)加工后金剛石表面進(jìn)行研究。表面拉曼光譜分析表明,化學(xué)機(jī)械拋光后的表面只有1332cm-1拉曼峰,XPS能譜分析發(fā)現(xiàn)加工后的金剛石表面吸附有氧。推測(cè)金剛石的表面形成過(guò)程為前期為機(jī)械磨損,后期為機(jī)械磨損和機(jī)械化學(xué)磨損共同作用。

【關(guān)鍵詞】：
【學(xué)位授予單位】：大連理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2013
【分類號(hào)】：O613.71;TQ164
【目錄】：

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5 杜宏偉;光電子材料鉭酸鋰晶片化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程研究[D];廣東工業(yè)大學(xué);2004年

6 魏紅波;化學(xué)機(jī)械拋光工藝中相關(guān)問(wèn)題的數(shù)值模擬[D];湘潭大學(xué);2010年

7 王政;彈性研磨系統(tǒng)工藝參數(shù)及結(jié)構(gòu)對(duì)研磨質(zhì)量的影響[D];廣東工業(yè)大學(xué);2011年

8 張培彥;基于白剛玉微粉的SiC單晶片（0001）C面化學(xué)機(jī)械拋光研究[D];南京理工大學(xué);2012年

9 劉立威;超大規(guī)模集成電路二氧化硅介質(zhì)化學(xué)機(jī)械拋光研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2000年

10 鄒萊;黑色金屬金剛石切削刀具磨損研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2011年

  本文關(guān)鍵詞：單晶金剛石的研磨與化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號(hào)：156820